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SI6913DQ-T1-GE3 MOSFETs - Arrays 2 P-Kanal (zweifach) 12V 4,9A 830mW Oberflächenmontage 8-TSSOP
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  • Stückpreis: Digi-Reel®

SI6913DQ-T1-GE3

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer SI6913DQ-T1-GE3CT-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer SI6913DQ-T1-GE3
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Beschreibung MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP
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Standardlieferzeit des Herstellers 14 Wochen
Detaillierte Beschreibung

MOSFETs - Arrays 2 P-Kanal (zweifach) 12V 4,9A 830mW Oberflächenmontage 8-TSSOP

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Dokumente & Medien
Datenblätter SI6913DQ
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Kategorien
Hersteller Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
Typ FET 2 P-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 4,9A
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 21mOhm bei 5,8A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id 900mV bei 400µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 28nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds -
Leistung - max. 830mW
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle 8-TSSOP (0,173", 4,40mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten 8-TSSOP
Basis der Teilenummer SI6913
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen SI6913DQ-T1-GE3CT