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10 1,23000 €12,30
25 1,16760 €29,19
100 0,95920 €95,92
500 0,79232 €396,16
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Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : SI4463BDY-T1-E3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 2.500
  • Verfügbare Menge: 17.500 - Sofort
  • Stückpreis: 0,62552 €
  • Digi-Reel®  : SI4463BDY-T1-E3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 19.683 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

SI4463BDY-T1-E3

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer SI4463BDY-T1-E3CT-ND
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Hersteller

Vishay Siliconix

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Hersteller-Teilenummer SI4463BDY-T1-E3
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Beschreibung MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
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Detaillierte Beschreibung

P-Kanal 20V 9,8 A (Ta) 1,5W (Ta) Oberflächenmontage 8-SO

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter SI4463BDY
HTML-Datenblatt SI4463BDY
Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 9,8 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 2,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 11mOhm bei 13,7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 1,4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 56nC @ 4,5V
Vgs (Max.) ±12V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1,5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SO
Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Basis der Teilenummer SI4463
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Standardpaket 1
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