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SI4435DDY-T1-GE3 P-Kanal 30V 11,4 A (Tc) 2,5W (Ta), 5W (Tc) Oberflächenmontage 8-SO
Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Stückpreis Gesamtpreis
1 0,75000 € 0,75
10 0,65700 € 6,57
100 0,50680 € 50,68
500 0,37542 € 187,71
1.000 0,30034 € 300,34

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Produktübersicht
Digi-Key Teilenummer SI4435DDY-T1-GE3CT-ND
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Verfügbare Menge 26.608
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer

SI4435DDY-T1-GE3

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Beschreibung MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC
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Standardlieferzeit des Herstellers 12 Wochen
Detaillierte Beschreibung

P-Kanal 30V 11,4 A (Tc) 2,5W (Ta), 5W (Tc) Oberflächenmontage 8-SO

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Dokumente & Medien
Datenblätter Si4435DDY
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
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Katalogseite 1581 (AT2011-DE PDF)
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Kategorien
Hersteller Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Verpackung ? Gurtabschnitt (CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 11,4 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 24mOhm bei 9,1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 50nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1350pF @ 15V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SO
Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI4435DDY-T1-GE3CT
Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) ? : SI4435DDY-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 2.500
  • Verfügbare Menge: 25.000 - Sofort
  • Stückpreis: € 0,26426
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  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 26.608 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

22:45:49 4.25.2019