EUR | USD
Favoriten

SI4435DDY-T1-GE3 P-Kanal 30V 11,4 A (Tc) 2,5W (Ta), 5W (Tc) Oberflächenmontage 8-SO
Preise & Beschaffung
11 314 Artikel auf Lager
Kann sofort versendet werden
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Stückpreis Gesamtpreis
1 0,59000 0,59 €
10 0,51600 5,16 €
25 0,48480 12,12 €
100 0,35200 35,20 €
500 0,29410 147,05 €
1 000 0,25030 250,30 €

Senden Sie eine Angebotsanfrage für Mengen, die größer sind, als die oben angezeigten.

Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : SI4435DDY-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 2 500
  • Verfügbare Menge: 10 000 - Sofort
  • Stückpreis: 0,23466 €
  • Digi-Reel®  : SI4435DDY-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 11 314 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

SI4435DDY-T1-GE3

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer SI4435DDY-T1-GE3CT-ND
Kopieren  
Hersteller

Kopieren  
Hersteller-Teilenummer SI4435DDY-T1-GE3
Kopieren  
Beschreibung MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC
Kopieren  
Standardlieferzeit des Herstellers 14 Wochen
Detaillierte Beschreibung

P-Kanal 30V 11,4 A (Tc) 2,5W (Ta), 5W (Tc) Oberflächenmontage 8-SO

Kopieren  
Dokumente & Medien
Datenblätter Si4435DDY
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
HTML-Datenblatt Si4435DDY
EDA- / CAD-Modelle SI4435DDY-T1-GE3 by Ultra Librarian
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 11,4 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 24mOhm bei 9,1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 50nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1350pF @ 15V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SO
Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Basis der Teilenummer SI4435
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Folgendes könnte für Sie ebenfalls von Interesse sein

SBRD10200TR

DIODE SCHOTTKY 200V 10A DPAK

SMC Diode Solutions

0,39000 € Details

SML-D12U8WT86

LED RED DIFFUSED 0603 SMD

Rohm Semiconductor

0,26000 € Details

SI4128DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC

Vishay Siliconix

0,50000 € Details

MSP430FR5972IPMR

IC MCU 16BIT 64KB FRAM 64LQFP

Texas Instruments

3,64000 € Details

IRFR110TRPBF

MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK

Vishay Siliconix

0,71000 € Details

IRF7416TRPBF

MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC

Infineon Technologies

0,76000 € Details
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen SI4435DDY-T1-GE3CT