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SI4401FDY-T1-GE3 P-Kanal 40V 9,9 A (Ta), 14 A (Tc) 2,5W (Ta), 5W (Tc) Oberflächenmontage 8-SO
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25 0,59680 14,92 €
100 0,43330 43,33 €
500 0,36200 181,00 €
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  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : SI4401FDY-T1-GE3TR-ND
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  • Stückpreis: 0,27438 €
  • Digi-Reel®  : SI4401FDY-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 10 838 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

SI4401FDY-T1-GE3

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer SI4401FDY-T1-GE3CT-ND
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Hersteller

Vishay Siliconix

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Hersteller-Teilenummer SI4401FDY-T1-GE3
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Beschreibung MOSFET P-CH 40V 9.9A/14A 8SO
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Standardlieferzeit des Herstellers 19 Wochen
Detaillierte Beschreibung

P-Kanal 40V 9,9 A (Ta), 14 A (Tc) 2,5W (Ta), 5W (Tc) Oberflächenmontage 8-SO

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Kundenreferenz
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Datenblätter SI4401FDY
Vorgestelltes Produkt P-Channel MOSFETs
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Hersteller Vishay Siliconix
Serie TrenchFET® Gen III
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 9,9 A (Ta), 14 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 14,2mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 100nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4000pF @ 20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SO
Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Basis der Teilenummer SI4401
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen SI4401FDY-T1-GE3CT