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SI4143DY-T1-GE3 P-Kanal 30V 25,3 A (Tc) 6W (Tc) Oberflächenmontage 8-SO
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SI4143DY-T1-GE3

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer SI4143DY-T1-GE3CT-ND
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Hersteller

Vishay Siliconix

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Hersteller-Teilenummer SI4143DY-T1-GE3
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Beschreibung MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
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Standardlieferzeit des Herstellers 8 Wochen
Detaillierte Beschreibung

P-Kanal 30V 25,3 A (Tc) 6W (Tc) Oberflächenmontage 8-SO

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter SI4143DY
HTML-Datenblatt SI4143DY
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Hersteller Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 25,3 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 6,2mOhm bei 12A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 167nC @ 10V
Vgs (Max.) ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6630pF @ 15V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 6W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TA)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SO
Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Basis der Teilenummer SI4143
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen SI4143DY-T1-GE3CT