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SI3483CDV-T1-GE3 P-Kanal 30V 8 A (Tc) 2W (Ta), 4,2W (Tc) Oberflächenmontage 6-TSOP
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  • Digi-Reel®  : SI3483CDV-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
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  • Stückpreis: Digi-Reel®

SI3483CDV-T1-GE3

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer SI3483CDV-T1-GE3CT-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer SI3483CDV-T1-GE3
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Beschreibung MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP
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Standardlieferzeit des Herstellers 14 Wochen
Detaillierte Beschreibung

P-Kanal 30V 8 A (Tc) 2W (Ta), 4,2W (Tc) Oberflächenmontage 6-TSOP

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Dokumente & Medien
Datenblätter SI3483CDV
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
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Kategorien
Hersteller Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
Typ FET P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 8 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 34mOhm bei 6,1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 33nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1000pF @ 15V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 4,2W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten 6-TSOP
Gehäuse / Hülle SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen SI3483CDV-T1-GE3CT