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Preisreduzierung Stückpreis Gesamtpreis
1 1,28000 €1,28
10 1,14200 €11,42
25 1,08440 €27,11
100 0,89060 €89,06
500 0,73568 €367,84
1.000 0,58080 €580,80

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Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : SI3440DV-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3 000
  • Verfügbare Menge: 9 000 - Sofort
  • Stückpreis: € 0,58080
  • Digi-Reel®  : SI3440DV-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 10 132 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

SI3440DV-T1-GE3

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer SI3440DV-T1-GE3CT-ND
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Hersteller

Vishay Siliconix

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Hersteller-Teilenummer SI3440DV-T1-GE3
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Beschreibung MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
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Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 150V 1,2 A (Ta) 1,14W (Ta) Oberflächenmontage 6-TSOP

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter SI3440DV
PCN-Design/Spezifikation Mult Dev Material Chgs 13/Jan/2019
HTML-Datenblatt SI3440DV
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 1,2 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 375mOhm bei 1,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 8nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1,14W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten 6-TSOP
Gehäuse / Hülle SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
Basis der Teilenummer SI3440
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen SI3440DV-T1-GE3CT