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SI2325DS-T1-GE3 P-Kanal 150V 530mA (Ta) 750mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
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  • Stückpreis: Digi-Reel®

SI2325DS-T1-GE3

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer SI2325DS-T1-GE3CT-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer SI2325DS-T1-GE3
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Beschreibung MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT-23
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Standardlieferzeit des Herstellers 14 Wochen
Detaillierte Beschreibung

P-Kanal 150V 530mA (Ta) 750mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)

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Dokumente & Medien
Datenblätter SI2325DS
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
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Hersteller Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
Typ FET P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 530mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 1,2Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 12nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 510pF @ 25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 750mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
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