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SI2319DS-T1-E3 P-Kanal 40V 2,3 A (Ta) 750mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
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  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : SI2319DS-T1-E3TR-ND
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  • Stückpreis: 0,23880 €
  • Digi-Reel®  : SI2319DS-T1-E3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
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  • Stückpreis: Digi-Reel®

SI2319DS-T1-E3

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer SI2319DS-T1-E3CT-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer SI2319DS-T1-E3
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Beschreibung MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
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Standardlieferzeit des Herstellers 14 Wochen
Detaillierte Beschreibung

P-Kanal 40V 2,3 A (Ta) 750mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)

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Dokumente & Medien
Datenblätter SI2319DS
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
HTML-Datenblatt SI2319DS
EDA- / CAD-Modelle SI2319DS-T1-E3 by Ultra Librarian
Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 2,3 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 82mOhm bei 3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 17nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 470pF @ 20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 750mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis der Teilenummer SI2319
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen SI2319DS-T1-E3CT