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TPN1R603PL,L1Q N-Kanal 30V 80 A (Tc) 104W (Tc) Oberflächenmontage 8-TSON Advance-Gehäuse (3,3x3,3)
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  • Digi-Reel®  : TPN1R603PLL1QDKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 27 916 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

TPN1R603PL,L1Q

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer TPN1R603PLL1QCT-ND
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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

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Hersteller-Teilenummer TPN1R603PL,L1Q
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Beschreibung MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
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Standardlieferzeit des Herstellers 24 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 30V 80 A (Tc) 104W (Tc) Oberflächenmontage 8-TSON Advance-Gehäuse (3,3x3,3)

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter TPN1R603PL
Vorgestelltes Produkt Ultra-High-Efficiency U-MOS IX-H MOSFETs
Server Solutions
EDA- / CAD-Modelle TPN1R603PL by Ultra Librarian
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Kategorien
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSIX-H
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 80 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,6mOhm bei 40A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,1V bei 300µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 41nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3900pF @ 15V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 104W (Tc)
Betriebstemperatur 175°C
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten 8-TSON Advance-Gehäuse (3,3x3,3)
Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN
Basis der Teilenummer RN4988
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen TPN1R603PLL1QCT