TSM120N06LCP ROG N-Kanal 60V 70 A (Tc) 125W (Tc) Oberflächenmontage TO-252, (D-Pak)
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TSM120N06LCP ROG

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer TSM120N06LCPROGCT-ND
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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

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Hersteller-Teilenummer TSM120N06LCP ROG
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Beschreibung MOSFET N-CHANNEL 60V 70A TO252
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Standardlieferzeit des Herstellers 35 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 60V 70 A (Tc) 125W (Tc) Oberflächenmontage TO-252, (D-Pak)

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter TSM120N06LCP
RoHS-Informationen Taiwan Semi RoHS3
Taiwan Semi REACH 219
HTML-Datenblatt TSM120N06LCP
EDA- / CAD-Modelle TSM120N06LCP ROG by Ultra Librarian
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
Serie -
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 70 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 12mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 37nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2118pF @ 30V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252, (D-Pak)
Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
Basis der Teilenummer TSM120
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 3 (168 Stunden)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen TSM120N06LCP ROGCT
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TSM120N06LCPROGCT