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STP5NK100Z N-Kanal 1000V 3,5 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Stückpreis Gesamtpreis
1 2,69000 € 2,69
10 2,41900 € 24,19
25 2,28240 € 57,06
100 1,94450 € 194,45
500 1,59760 € 798,80
2.500 1,23243 € 3.081,08
5.000 1,18679 € 5.933,94

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Produktübersicht
Digi-Key Teilenummer 497-4382-5-ND
Kopieren   497-4382-5-ND
Verfügbare Menge 7.042
Kann sofort versendet werden
Hersteller

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Hersteller-Teilenummer

STP5NK100Z

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Beschreibung MOSFET N-CH 1KV 3.5A TO-220
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Standardlieferzeit des Herstellers 8 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 1000V 3,5 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB

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Dokumente & Medien
Datenblätter STx5NK100Z
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) STP5NK100Z View All Specifications
Produktschulungsmodul(e) STMicroelectronics ST MOSFETs
Simulationsmodelle STP5NK100Z Spice Model
EDA/CAD-Modelle ? Herunterladen von Ultra Librarian
Katalogseite 1457 (AT2011-DE PDF)
Produkteigenschaften Alle auswählen
Kategorien
Hersteller STMicroelectronics
Serie SuperMESH3™
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 3,5 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 3,7Ohm bei 1,75A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 59nC @ 10V
Vgs (Max.) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1154pF @ 25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Gehäuse / Hülle TO-220-3
Basis der Teilenummer STP5N
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
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10:38:05 8.21.2019