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FQD2N60CTM N-Kanal 600V 1,9 A (Tc) 2,5W (Ta), 44W (Tc) Oberflächenmontage D-Pak
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  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 10 765 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

FQD2N60CTM

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer FQD2N60CTMCT-ND
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Hersteller

ON Semiconductor

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Hersteller-Teilenummer FQD2N60CTM
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Beschreibung MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
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Standardlieferzeit des Herstellers 23 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 600V 1,9 A (Tc) 2,5W (Ta), 44W (Tc) Oberflächenmontage D-Pak

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter FQD2N60C, FQU2N60C
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) DPAK3 (TO−252 3 LD) Mechanical Case Outline
RoHS-Informationen Material Declaration FQD2N60CTM
PCN-Design/Spezifikation Description Chg 01/Apr/2016
Logo 17/Aug/2017
PCN-Montage/Herkunft Mult Dev 13/Aug/2020
PCN-Verpackung Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller ON Semiconductor
Serie QFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 1,9 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,7Ohm bei 950mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 12nC @ 10V
Vgs (Max.) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 235pF @ 25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 44W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten D-Pak
Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
Basis der Teilenummer FQD2
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen FQD2N60CTMCT