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FDT86113LZ N-Kanal 100V 3,3 A (Tc) 2,2W (Ta) Oberflächenmontage SOT-223-4
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  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : FDT86113LZTR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 4 000
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  • Digi-Reel®  : FDT86113LZDKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 26 317 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

FDT86113LZ

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer FDT86113LZCT-ND
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Hersteller

ON Semiconductor

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Hersteller-Teilenummer FDT86113LZ
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Beschreibung MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
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Standardlieferzeit des Herstellers 21 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 100V 3,3 A (Tc) 2,2W (Ta) Oberflächenmontage SOT-223-4

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter FDT86113LZ
RoHS-Informationen Material Declaration FDT86113LZ
PCN-Design/Spezifikation Logo 17/Aug/2017
PCN-Montage/Herkunft Mult Dev Assembly Chg 21/May/2020
PCN-Verpackung Mult Devices 24/Oct/2017
Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 3,3 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 100mOhm bei 3,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 6,8nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 315pF @ 50V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2,2W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-223-4
Gehäuse / Hülle TO-261-4, TO-261AA
Basis der Teilenummer FDT86
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Standardpaket 1
Andere Namen FDT86113LZCT