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FDS6670A N-Kanal 30V 13 A (Ta) 2,5W (Ta) Oberflächenmontage 8-SOIC
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10 0,54200 5,42 €
25 0,51680 12,92 €
100 0,37510 37,51 €
500 0,31346 156,73 €
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Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : FDS6670ATR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 2 500
  • Verfügbare Menge: 12 500 - Sofort
  • Stückpreis: 0,25010 €
  • Digi-Reel®  : FDS6670ADKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 14 009 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

FDS6670A

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer FDS6670ACT-ND
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Hersteller

ON Semiconductor

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Hersteller-Teilenummer FDS6670A
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Beschreibung MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
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Standardlieferzeit des Herstellers 18 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 30V 13 A (Ta) 2,5W (Ta) Oberflächenmontage 8-SOIC

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter FDS6670A
RoHS-Informationen Material Declaration FDS6670A
PCN-Design/Spezifikation Mold Compound 12/Dec/2007
Logo 17/Aug/2017
PCN-Montage/Herkunft FDSYYY 18/Jun/2018
PCN-Verpackung Mult Devices 24/Oct/2017
Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018
EDA- / CAD-Modelle FDS6670A by SnapEDA
Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 13 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 8mOhm bei 13A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 30nC @ 5V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2220pF @ 15V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SOIC
Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Basis der Teilenummer FDS66
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen FDS6670ACT