FDS6575 P-Kanal 20V 10 A (Ta) 2,5W (Ta) Oberflächenmontage 8-SOIC
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  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : FDS6575TR-ND
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  • Digi-Reel®  : FDS6575DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
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  • Stückpreis: Digi-Reel®

FDS6575

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer FDS6575CT-ND
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Hersteller

ON Semiconductor

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Hersteller-Teilenummer FDS6575
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Beschreibung MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
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Standardlieferzeit des Herstellers 39 Wochen
Detaillierte Beschreibung

P-Kanal 20V 10 A (Ta) 2,5W (Ta) Oberflächenmontage 8-SOIC

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter FDS6575
RoHS-Informationen Material Declaration FDS6575
PCN-Design/Spezifikation Mold Compound 12/Dec/2007
Logo 17/Aug/2017
PCN-Montage/Herkunft Wafer Fab 02/Aug/2020
PCN-Verpackung Mult Devices 24/Oct/2017
Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018
EDA- / CAD-Modelle FDS6575 by Ultra Librarian
Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 10 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 2,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 13mOhm bei 10A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id 1,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 74nC @ 4,5V
Vgs (Max.) ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4951pF @ 10V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SOIC
Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Basis der Teilenummer FDS65
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen FDS6575CT