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Preisreduzierung Stückpreis Gesamtpreis
1 1,30000 €1,30
10 1,16200 €11,62
25 1,10280 €27,57
100 0,90590 €90,59
500 0,74834 €374,17
1.000 0,62659 €626,59

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Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : FDMS86105TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3 000
  • Verfügbare Menge: 18 000 - Sofort
  • Stückpreis: € 0,62659
  • Digi-Reel®  : FDMS86105DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 19 802 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

FDMS86105

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer FDMS86105CT-ND
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Hersteller

ON Semiconductor

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Hersteller-Teilenummer FDMS86105
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Beschreibung MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN
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Standardlieferzeit des Herstellers 26 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 100V 6 A (Ta), 26 A (Tc) 2,5W (Ta), 48W (Tc) Oberflächenmontage 8-PQFN (5x6)

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter FDMS86105
RoHS-Informationen Material Declaration FDMS86105
Vorgestelltes Produkt Cloud Systems Computing
Mid- and Low-Voltage MOSFETs
PCN-Design/Spezifikation Logo 17/Aug/2017
PCN-Verpackung Mult Devices 24/Oct/2017
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 6 A (Ta), 26 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 34mOhm bei 6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 11nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 645pF @ 50V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 48W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten 8-PQFN (5x6)
Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Basis der Teilenummer FDMS86
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen FDMS86105CT