PSMN2R0-30YL,115 N-Kanal 30V 100 A (Tc) 97W (Tc) Oberflächenmontage LFPAK56, Power-SO8
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PSMN2R0-30YL,115

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer 1727-4163-1-ND
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Hersteller

Nexperia USA Inc.

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Hersteller-Teilenummer PSMN2R0-30YL,115
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Beschreibung MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
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Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 30V 100 A (Tc) 97W (Tc) Oberflächenmontage LFPAK56, Power-SO8

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter PSMN2R0-30YL
Vorgestelltes Produkt LFPAK Trench 6 MOSFETs
PCN-Montage/Herkunft Leadframe Supplier Add 13/Jun/2016
PCN-Verpackung Logo 10/Dec/2016
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020
HTML-Datenblatt PSMN2R0-30YL
Produkteigenschaften
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Hersteller Nexperia USA Inc.
Serie TrenchMOS™
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,15V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 64nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3980pF @ 12V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 97W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten LFPAK56, Power-SO8
Gehäuse / Hülle SC-100, SOT-669
Basis der Teilenummer PSMN2R0
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
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