IRLR7843TRPBF N-Kanal 30V 161 A (Tc) 140W (Tc) Oberflächenmontage D-Pak
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  • Digi-Reel®  : IRLR7843PBFDKR-ND
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  • Stückpreis: Digi-Reel®
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : 448-IRLR7843TRLPBFTR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3 000
  • Verfügbare Menge: 0
  • Stückpreis: € 0,68148

IRLR7843TRPBF

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer IRLR7843PBFCT-ND
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Hersteller

Infineon Technologies

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Hersteller-Teilenummer IRLR7843TRPBF
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Beschreibung MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
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Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 30V 161 A (Tc) 140W (Tc) Oberflächenmontage D-Pak

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter IRL(R,U)7843PbF
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) Part Number Guide
Produktschulungsmodul(e) High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
Vorgestelltes Produkt Data Processing Systems
PCN-Design/Spezifikation Mult Dev Label Chgs Aug/2020
PCN-Montage/Herkunft Warehouse Transfer 29/Jul/2015
PCN-Verpackung Barcode Label Update 24/Feb/2017
Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020
EDA- / CAD-Modelle IRLR7843TRPBF by Ultra Librarian
Simulationsmodelle IRLR7843PBF Saber Model
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Kategorien
Hersteller Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 161 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,3mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 50nC @ 4,5V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4380pF @ 15V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 140W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten D-Pak
Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
Basis der Teilenummer IRLR7843
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen *IRLR7843TRPBF
IRLR7843PBFCT