IRFR3504ZTRPBF N-Kanal 40V 42 A (Tc) 90W (Tc) Oberflächenmontage D-Pak
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25 1,03520 €25,88
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  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : IRFR3504ZPBFTR-ND
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  • Digi-Reel®  : IRFR3504ZPBFDKR-ND
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  • Stückpreis: Digi-Reel®

IRFR3504ZTRPBF

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer IRFR3504ZPBFCT-ND
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Hersteller

Infineon Technologies

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Hersteller-Teilenummer IRFR3504ZTRPBF
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Beschreibung MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
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Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 40V 42 A (Tc) 90W (Tc) Oberflächenmontage D-Pak

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter IRF(R,U)3504ZPbF
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) IR Part Numbering System
Produktschulungsmodul(e) High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
Vorgestelltes Produkt Data Processing Systems
PCN-Design/Spezifikation Mult Dev Label Chgs Aug/2020
PCN-Montage/Herkunft Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013
PCN-Verpackung Barcode Label Update 24/Feb/2017
Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020
HTML-Datenblatt IRF(R,U)3504ZPbF
Simulationsmodelle IRFR3504ZTRPBF Saber Model
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Kategorien
Hersteller Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 42 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 9mOhm bei 42A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 45nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1510pF @ 25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 90W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten D-Pak
Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
Basis der Teilenummer IRFR3504
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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€ 1,37000 Details
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen *IRFR3504ZTRPBF
IRFR3504ZPBFCT