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IRF7303TRPBF MOSFETs - Arrays 2 N-Kanal (zweifach) 30V 4,9A 2W Oberflächenmontage 8-SO
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  • Digi-Reel®  : IRF7303PBFDKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
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  • Stückpreis: Digi-Reel®

IRF7303TRPBF

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer IRF7303PBFCT-ND
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Hersteller

Infineon Technologies

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Hersteller-Teilenummer IRF7303TRPBF
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Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
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Standardlieferzeit des Herstellers 18 Wochen
Detaillierte Beschreibung

MOSFETs - Arrays 2 N-Kanal (zweifach) 30V 4,9A 2W Oberflächenmontage 8-SO

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter IRF7303PbF
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) IR Part Numbering System
Produktschulungsmodul(e) High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
Vorgestelltes Produkt Data Processing Systems
PCN-Design/Spezifikation Mult Dev Label Chgs Aug/2020
PCN-Montage/Herkunft Mult Dev Wafer Chg 18/Dec/2020
PCN-Verpackung Packing Material Update 16/Sep/2016
Barcode Label Update 24/Feb/2017
HTML-Datenblatt IRF7303PbF
Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ 2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4,9A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 50mOhm bei 2,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 25nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 520pF bei 25V
Leistung - Max. 2W
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SO
Basis der Teilenummer IRF7303PBF
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen *IRF7303TRPBF
IRF7303PBFCT