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IRF7103TRPBF MOSFETs - Arrays 2 N-Kanal (zweifach) 50V 3A 2W Oberflächenmontage 8-SO
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  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : IRF7103PBFTR-ND
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  • Verfügbare Menge: 44 000 - Sofort
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  • Digi-Reel®  : IRF7103PBFDKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 44 391 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

IRF7103TRPBF

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer IRF7103PBFCT-ND
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Hersteller

Infineon Technologies

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Hersteller-Teilenummer IRF7103TRPBF
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Beschreibung MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
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Standardlieferzeit des Herstellers 39 Wochen
Detaillierte Beschreibung

MOSFETs - Arrays 2 N-Kanal (zweifach) 50V 3A 2W Oberflächenmontage 8-SO

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter IRF7103PbF
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) IR Part Numbering System
Vorgestelltes Produkt Data Processing Systems
PCN-Design/Spezifikation Mult Dev Label Chgs Aug/2020
PCN-Montage/Herkunft Mult Dev Wafer Chg 18/Dec/2020
PCN-Verpackung Barcode Label Update 24/Feb/2017
Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018
HTML-Datenblatt IRF7103PbF
EDA- / CAD-Modelle IRF7103TRPBF by Ultra Librarian
Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ 2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 3A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 130mOhm bei 3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 30nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 290pF bei 25V
Leistung - Max. 2W
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SO
Basis der Teilenummer IRF7103PBF
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen *IRF7103TRPBF
IRF7103PBFCT