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IPD30N03S4L09ATMA1 N-Kanal 30V 30 A (Tc) 42W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
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  • Stückpreis: 0,23520 €
  • Digi-Reel®  : IPD30N03S4L09ATMA1DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 62 711 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

IPD30N03S4L09ATMA1

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer IPD30N03S4L09ATMA1CT-ND
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Hersteller

Infineon Technologies

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Hersteller-Teilenummer IPD30N03S4L09ATMA1
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Beschreibung MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
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Standardlieferzeit des Herstellers 39 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 30V 30 A (Tc) 42W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter IPD30N03S4L-09
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) Part Number Guide
Vorgestelltes Produkt Data Processing Systems
PCN-Montage/Herkunft Mult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019
PCN-Verpackung Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
HTML-Datenblatt IPD30N03S4L-09
Simulationsmodelle OptiMOS-T2 30V Spice Models
Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 30 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 9mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,2V bei 13µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 20nC @ 10V
Vgs (Max.) ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1520pF @ 15V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 42W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO252-3
Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen IPD30N03S4L-09INCT
IPD30N03S4L-09INCT-ND
IPD30N03S4L09ATMA1CT