BSZ900N15NS3GATMA1 N-Kanal 150V 13 A (Tc) 38W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSDSON-8
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BSZ900N15NS3GATMA1

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer BSZ900N15NS3GATMA1CT-ND
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Hersteller

Infineon Technologies

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Hersteller-Teilenummer BSZ900N15NS3GATMA1
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Beschreibung MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
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Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 150V 13 A (Tc) 38W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSDSON-8

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Hersteller Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 13 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 8V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 90mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 20µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 7nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 510pF @ 75V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 38W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TSDSON-8
Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Basis der Teilenummer BSZ900
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen BSZ900N15NS3 GCT
BSZ900N15NS3 GCT-ND
BSZ900N15NS3GATMA1CT