BSZ42DN25NS3GATMA1 N-Kanal 250V 5 A (Tc) 33,8W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSDSON-8
Preise & Beschaffung
33 975 Artikel auf Lager
Kann sofort versendet werden
 

Menge

Zur Liste hinzufügen

Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Stückpreis Gesamtpreis
1 1,23000 €1,23
10 1,09700 €10,97
25 1,04080 €26,02
100 0,85500 €85,50
500 0,70636 €353,18
1.000 0,61962 €619,62

Senden Sie eine Angebotsanfrage für Mengen, die größer sind, als die oben angezeigten.

Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : BSZ42DN25NS3GATMA1TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 5 000
  • Verfügbare Menge: 30 000 - Sofort
  • Stückpreis: € 0,61962
  • Digi-Reel®  : BSZ42DN25NS3GATMA1DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 33 975 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

BSZ42DN25NS3GATMA1

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer BSZ42DN25NS3GATMA1CT-ND
Kopieren  
Hersteller

Infineon Technologies

Kopieren  
Hersteller-Teilenummer BSZ42DN25NS3GATMA1
Kopieren  
Beschreibung MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Kopieren  
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 250V 5 A (Tc) 33,8W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSDSON-8

Kopieren  
Kundenreferenz
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 425mOhm bei 2,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 13µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 5,5nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 430pF @ 100V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 33,8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TSDSON-8
Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Basis der Teilenummer BSZ42DN25
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Folgendes könnte für Sie ebenfalls von Interesse sein

HV9150K6-G

IC REG CTRLR BOOST 16VQFN

Microchip Technology

€ 1,28000 Details

DFLU1400-7

DIODE GP 400V 1A POWERDI123

Diodes Incorporated

€ 0,36000 Details

SM4002PL-TP

DIODE GEN PURP 100V 1A SOD123FL

Micro Commercial Co

€ 0,40000 Details

FQD12N20LTM

MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

ON Semiconductor

€ 0,78000 Details

SMAT70A-13-F

TVS DIODE 70VWM 100VC SMA

Diodes Incorporated

€ 0,55000 Details

SMAJ160CA

TVS DIODE 160VWM 259VC SMA

Bourns Inc.

€ 0,34000 Details
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen BSZ42DN25NS3 GCT
BSZ42DN25NS3 GCT-ND
BSZ42DN25NS3GATMA1CT