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BSZ086P03NS3EGATMA1 P-Kanal 30V 13,5 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSDSON-8
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250 0,35920 89,80 €
500 0,31120 155,60 €
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  • Verfügbare Menge: 5 000 - Sofort
  • Stückpreis: 0,23588 €

BSZ086P03NS3EGATMA1

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer BSZ086P03NS3EGATMA1CT-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer BSZ086P03NS3EGATMA1
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Beschreibung MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
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Standardlieferzeit des Herstellers 18 Wochen
Detaillierte Beschreibung

P-Kanal 30V 13,5 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSDSON-8

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Dokumente & Medien
Datenblätter BSZ086P03NS3E G
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) Part Number Guide
Vorgestelltes Produkt Data Processing Systems
PCN-Verpackung Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019
PCN-Weiteres Multiple Changes 09/Jul/2014
HTML-Datenblatt BSZ086P03NS3E G
Simulationsmodelle MOSFET OptiMOS™ 30V P-Channel Spice Model
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Kategorien
Hersteller Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 13,5 A (Ta), 40 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 8,6mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 3,1V bei 105µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 57,5nC @ 10V
Vgs (Max.) ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4785pF @ 15V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2,1W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TSDSON-8
Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen BSZ086P03NS3E GCT
BSZ086P03NS3E GCT-ND
BSZ086P03NS3EGATMA1CT