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BSZ035N03MSGATMA1 N-Kanal 30V 18 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSDSON-8
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Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : BSZ035N03MSGATMA1TR-ND
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  • Verfügbare Menge: 10 000 - Sofort
  • Stückpreis: 0,31760 €

BSZ035N03MSGATMA1

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer BSZ035N03MSGATMA1CT-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer BSZ035N03MSGATMA1
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Beschreibung MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
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Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 30V 18 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSDSON-8

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Dokumente & Medien
Datenblätter BSZ035N03MS G
PCN-Weiteres Multiple Changes 09/Jul/2014
Vorgestelltes Produkt Data Processing Systems
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) Part Number Guide
Simulationsmodelle MOSFET OptiMOS™ 30V N-Channel Spice Model
PCN-Verpackung Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019
HTML-Datenblatt BSZ035N03MS G
Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Bei Digi-Key nicht mehr erhältlich
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 18 A (Ta), 40 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,5mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 74nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5700pF @ 15V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2,1W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TSDSON-8
Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen BSZ035N03MSGATMA1CT
BSZ035N03MSGINCT
BSZ035N03MSGINCT-ND