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BSP613PH6327XTSA1 P-Kanal 60V 2,9 A (Ta) 1,8W (Ta) Oberflächenmontage PG-SOT223-4
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25 1,00920 €25,23
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Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : BSP613PH6327XTSA1TR-ND
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  • Stückpreis: 0,60060 €
  • Digi-Reel®  : BSP613PH6327XTSA1DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
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  • Stückpreis: Digi-Reel®

BSP613PH6327XTSA1

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer BSP613PH6327XTSA1CT-ND
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Hersteller

Infineon Technologies

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Hersteller-Teilenummer BSP613PH6327XTSA1
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Beschreibung MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
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Detaillierte Beschreibung

P-Kanal 60V 2,9 A (Ta) 1,8W (Ta) Oberflächenmontage PG-SOT223-4

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter BSP613P
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) Part Number Guide
Vorgestelltes Produkt Data Processing Systems
PCN-Montage/Herkunft Plating Supplier/Wafer Site Add 14/Feb/2017
PCN-Verpackung Mult Dev Cover Tape Chg 9/Mar/2020
Mult Dev Pkg Update 28/May/2020
HTML-Datenblatt BSP613P
Simulationsmodelle MOSFET OptiMOS™ 60V P-Channel Spice Model
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 2,9 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 130mOhm bei 2,9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 33nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 875pF @ 25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1,8W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten PG-SOT223-4
Gehäuse / Hülle TO-261-4, TO-261AA
Basis der Teilenummer BSP613
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen BSP613PH6327XTSA1CT