BSP149H6327XTSA1 N-Kanal 200V 660mA (Ta) 1,8W (Ta) Oberflächenmontage PG-SOT223-4
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  • Digi-Reel®  : BSP149H6327XTSA1DKR-ND
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  • Stückpreis: Digi-Reel®

BSP149H6327XTSA1

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer BSP149H6327XTSA1CT-ND
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Hersteller

Infineon Technologies

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Hersteller-Teilenummer BSP149H6327XTSA1
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Beschreibung MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
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Standardlieferzeit des Herstellers 34 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 200V 660mA (Ta) 1,8W (Ta) Oberflächenmontage PG-SOT223-4

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter BSP149
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) Part Number Guide
Vorgestelltes Produkt Data Processing Systems
PCN-Montage/Herkunft PCN 2016-052-A Retraction 25/Apr/2017
PCN-Verpackung Mult Dev Cover Tape Chg 9/Mar/2020
Mult Dev Pkg Update 28/May/2020
HTML-Datenblatt BSP149
Simulationsmodelle OptiMOS™ Power MOSFET 200V N-Channel Spice Model
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 660mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 0V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,8Ohm bei 660mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 400µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 14nC @ 5V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 430pF @ 25V
FET-Merkmal Mit Verarmungsschicht
Verlustleistung (max.) 1,8W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten PG-SOT223-4
Gehäuse / Hülle TO-261-4, TO-261AA
Basis der Teilenummer BSP149
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen BSP149H6327XTSA1CT