BSP135H6327XTSA1 N-Kanal 600V 120mA (Ta) 1,8W (Ta) Oberflächenmontage SOT-223-4
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  • Digi-Reel®  : BSP135H6327XTSA1DKR-ND
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  • Stückpreis: Digi-Reel®

BSP135H6327XTSA1

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer BSP135H6327XTSA1CT-ND
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Hersteller

Infineon Technologies

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Hersteller-Teilenummer BSP135H6327XTSA1
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Beschreibung MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
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Standardlieferzeit des Herstellers 34 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 600V 120mA (Ta) 1,8W (Ta) Oberflächenmontage SOT-223-4

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter BSP135
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) Part Number Guide
Vorgestelltes Produkt Data Processing Systems
PCN-Montage/Herkunft PCN 2016-052-A Retraction 25/Apr/2017
PCN-Verpackung Mult Dev Cover Tape Chg 9/Mar/2020
Mult Dev Pkg Update 28/May/2020
HTML-Datenblatt BSP135
Simulationsmodelle OptiMOS™ Power MOSFET 240V 400V 600V 800V N-Channel Spice Model
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 120mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 0V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 45Ohm bei 120mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 94µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 4,9nC @ 5V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 146pF @ 25V
FET-Merkmal Mit Verarmungsschicht
Verlustleistung (max.) 1,8W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-223-4
Gehäuse / Hülle TO-261-4, TO-261AA
Basis der Teilenummer BSP135
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen BSP135H6327XTSA1CT