BSC066N06NSATMA1 N-Kanal 60V 64 A (Tc) 2,5W (Ta), 46W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-6
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10 1,10500 €11,05
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100 0,86160 €86,16
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  • Digi-Reel®  : BSC066N06NSATMA1DKR-ND
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  • Stückpreis: Digi-Reel®

BSC066N06NSATMA1

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer BSC066N06NSATMA1CT-ND
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Hersteller

Infineon Technologies

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Hersteller-Teilenummer BSC066N06NSATMA1
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Beschreibung MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6
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Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 60V 64 A (Tc) 2,5W (Ta), 46W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-6

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter BSC066N06NS
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) Part Number Guide
Vorgestelltes Produkt Solutions for Embedded Systems
Data Processing Systems
PCN-Montage/Herkunft Mult Dev Assembly Site Add 24/Jun/2019
PCN-Verpackung Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019
HTML-Datenblatt BSC066N06NS
EDA- / CAD-Modelle BSC066N06NSATMA1 by Ultra Librarian
Simulationsmodelle MOSFET OptiMOS™ 60V N-Channel Spice Model
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 64 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 6,6mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 3,3V bei 20µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 21nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1500pF @ 30V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 46W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8-6
Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Basis der Teilenummer BSC066
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen BSC066N06NSATMA1CT