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BSC059N04LSGATMA1 N-Kanal 40V 16 A (Ta), 73 A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-5
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25 0,58600 14,65 €
100 0,42530 42,53 €
500 0,35538 177,69 €
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  • Digi-Reel®  : BSC059N04LSGATMA1DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 49 070 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

BSC059N04LSGATMA1

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer BSC059N04LSGATMA1CT-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer BSC059N04LSGATMA1
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Beschreibung MOSFET N-CH 40V 73A TDSON-8
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Standardlieferzeit des Herstellers 15 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 40V 16 A (Ta), 73 A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-5

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Dokumente & Medien
Datenblätter BSC059N04LS G
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) Part Number Guide
Vorgestelltes Produkt Data Processing Systems
PCN-Montage/Herkunft Assembly Site Update 26/Jul/2016
PCN-Verpackung Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019
PCN-Weiteres Multiple Changes 09/Jul/2014
HTML-Datenblatt BSC059N04LS G
Simulationsmodelle MOSFET OptiMOS™ 40V N-Channel Spice Model
Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 16 A (Ta), 73 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 5,9mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 23µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 40nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3200pF @ 20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8-5
Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen BSC059N04LS GCT
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