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BSC052N03LSATMA1 N-Kanal 30V 17 A (Ta), 57 A (Tc) 2,5W (Ta), 28W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-6
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500 0,34948 174,74 €
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  • Digi-Reel®  : BSC052N03LSATMA1DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 30 694 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

BSC052N03LSATMA1

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer BSC052N03LSATMA1CT-ND
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Hersteller

Infineon Technologies

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Hersteller-Teilenummer BSC052N03LSATMA1
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Beschreibung MOSFET N-CH 30V 17A/57A TDSON
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Standardlieferzeit des Herstellers 52 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 30V 17 A (Ta), 57 A (Tc) 2,5W (Ta), 28W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-6

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter BSC052N03LS
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) Part Number Guide
Vorgestelltes Produkt Data Processing Systems
PCN-Design/Spezifikation OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015
PCN-Montage/Herkunft Mult Dev Assembly Site Add REV 12/Jul/2019
PCN-Verpackung Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019
Simulationsmodelle MOSFET OptiMOS™ 30V N-Channel Spice Model
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 17 A (Ta), 57 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 5,2mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 12nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 770pF @ 15V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 28W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8-6
Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen BSC052N03LSATMA1CT
BSC052N03LSCT
BSC052N03LSCT-ND