EUR | USD
Favoriten

BSC050NE2LSATMA1 N-Kanal 25V 39 A (Ta), 58 A (Tc) 2,5W (Ta), 28W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-5
Preise & Beschaffung
59 980 Artikel auf Lager
Kann sofort versendet werden
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Stückpreis Gesamtpreis
1 0,67000 0,67 €
10 0,58000 5,80 €
25 0,55360 13,84 €
100 0,40180 40,18 €
500 0,37496 187,48 €

Senden Sie eine Angebotsanfrage für Mengen, die größer sind, als die oben angezeigten.

Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : BSC050NE2LSATMA1TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 5 000
  • Verfügbare Menge: 50 000 - Sofort
  • Stückpreis: 0,24529 €
  • Digi-Reel®  : BSC050NE2LSATMA1DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 59 980 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

BSC050NE2LSATMA1

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer BSC050NE2LSATMA1CT-ND
Kopieren  
Hersteller

Infineon Technologies

Kopieren  
Hersteller-Teilenummer BSC050NE2LSATMA1
Kopieren  
Beschreibung MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Kopieren  
Standardlieferzeit des Herstellers 18 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 25V 39 A (Ta), 58 A (Tc) 2,5W (Ta), 28W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-5

Kopieren  
Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter BSC050NE2LS
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) Part Number Guide
Vorgestelltes Produkt Data Processing Systems
PCN-Design/Spezifikation OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015
PCN-Montage/Herkunft Mult Dev Assembly Site Add REV 12/Jul/2019
PCN-Verpackung Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019
Simulationsmodelle MOSFET OptiMOS™ 25V N-Channel Spice Model
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 39 A (Ta), 58 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 5mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 10,4nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 760pF @ 12V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 28W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8-5
Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Folgendes könnte für Sie ebenfalls von Interesse sein

BSC010NE2LSIATMA1

MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON

Infineon Technologies

1,21000 € Details

BSC010NE2LSATMA1

MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON

Infineon Technologies

1,18000 € Details

182-009-113R531

CONN D-SUB PLUG 9POS R/A SLDR

NorComp Inc.

1,52000 € Details

LTST-C190GKT

LED GREEN CLEAR CHIP SMD

Lite-On Inc.

0,20000 € Details

BSC050N03LSGATMA1

MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON

Infineon Technologies

0,55000 € Details

SE97BTP,547

IC TEMP SENSOR DIMM 8HWSON

NXP USA Inc.

0,89000 € Details
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen BSC050NE2LSATMA1CT
BSC050NE2LSCT
BSC050NE2LSCT-ND