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BSC026NE2LS5ATMA1 N-Kanal 25V 24 A (Ta), 82 A (Tc) 2,5W (Ta), 29W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-7
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10 1,12000 €11,20
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100 0,87280 €87,28
500 0,72104 €360,52
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  • Digi-Reel®  : BSC026NE2LS5ATMA1DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 24.749 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

BSC026NE2LS5ATMA1

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer BSC026NE2LS5ATMA1CT-ND
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Hersteller

Infineon Technologies

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Hersteller-Teilenummer BSC026NE2LS5ATMA1
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Beschreibung MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON
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Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 25V 24 A (Ta), 82 A (Tc) 2,5W (Ta), 29W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-7

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter BSC026NE2LS5
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) Part Number Guide
Vorgestelltes Produkt Data Processing Systems
PCN-Montage/Herkunft OptiMOS Dev Assembly Add 31/Jan/2019
PCN-Verpackung Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019
Simulationsmodelle OptiMOS™ Power MOSFET 25V N-Channel Spice Model
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 24 A (Ta), 82 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,6mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 16nC @ 10V
Vgs (Max.) ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1100pF @ 12V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 29W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8-7
Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Basis der Teilenummer BSC026
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Standardpaket 1
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