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EPC2014C N-Kanal 40V 10 A (Ta) Oberflächenmontage Chipumriss (5 Lötstreifen)
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25 1,12880 28,22 €
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250 0,83844 209,61 €
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Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : 917-1082-2-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 2 500
  • Verfügbare Menge: 20 000 - Sofort
  • Stückpreis: 0,57644 €
  • Digi-Reel®  : 917-1082-6-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 24 485 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

EPC2014C

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer 917-1082-1-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer EPC2014C
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Beschreibung GANFET TRANS 40V 10A BUMPED DIE
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Standardlieferzeit des Herstellers 12 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 40V 10 A (Ta) Oberflächenmontage Chipumriss (5 Lötstreifen)

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Dokumente & Medien
Datenblätter EPC2014C
Produktschulungsmodul(e) eGaN® FET Reliability
Videodatei Texas Instruments/Wurth/EPC GaN Solutions First Look Video
Vorgestelltes Produkt EPC Low Voltage eGaN® FETs
Referenzdesign-Bibliothek EPC9005C: 7A, 0 ~ 40V, Half H-Bridge Driver
PCN-Montage/Herkunft EPC2/8 10/Apr/2017
EDA- / CAD-Modelle EPC2014C by SnapEDA
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller EPC
Serie eGaN®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 10 A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 5V
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 16mOhm bei 10A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 2mA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 2,5nC @ 5V
Vgs (Max.) +6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 300pF @ 20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten Chipumriss (5 Lötstreifen)
Gehäuse / Hülle Einsatz
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
zur Verwendung mit

EPC9005C

BOARD DEV FOR EPC2014C

EPC

81,74000 € Details
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen 917-1082-1