Name: EPC2012C
Brand: EPC
SKU: 917-1084-2-ND
Price: 3.84 EUR
Availability: InStock

Dunkel-Modus

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

EPC2012C
DigiKey-Teilenr.	917-1084-2-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 917-1084-1-ND - Gurtabschnitt (CT) 917-1084-6-ND - Digi-Reel®
Hersteller	EPC
Hersteller-Teilenummer	EPC2012C
Beschreibung	GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 5 A (Ta) Oberflächenmontage Einsatz
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	EPC2012C Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	EPC
Serie	eGaN®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	5 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	100mOhm bei 3A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	1.3 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	+6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	140 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	-
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	Einsatz
Gehäuse / Hülle	Einsatz
Basis-Produktnummer	EPC20

Dokumente und Medien

Ressourcentyp	Link
Datenblätter	EPC2012C
Produktschulungsmodule	eGaN® FET Reliability
Informationen zur Umweltverträglichkeit	EPC RoHS & Halogen Cert EPC REACH
Empfohlenes Produkt	EPC9052/53/54 Development Boards Wireless Power Solutions EPC Low Voltage eGaN® FETs
Referenzdesignbibliothek	EPC9052: 1A, 0 ~ 40V, 15 MHz, Class E Amplifier
PCN Montage/Herkunft	Assembly Site 25/Jun/2021 Substrate Vendor Alternate 09/SEP/2025
PDC Foto (nur intern)	Die Outline (4-Solder Bar) Top View
EDA-Modelle	EPC2012C Modelle
Forum Discussions	What do GaN FETS look like and how do they work?