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1 2,28000 €2,28
10 1,89000 €18,90
25 1,82840 €45,71
100 1,50410 €150,41
500 1,27278 €636,39
1.000 1,07993 €1.079,93

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Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : 917-1084-2-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 2 500
  • Verfügbare Menge: 25 000 - Sofort
  • Stückpreis: 1,02593 €
  • Digi-Reel®  : 917-1084-6-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 25 055 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

EPC2012C

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer 917-1084-1-ND
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Hersteller

EPC

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Hersteller-Teilenummer EPC2012C
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Beschreibung GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
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Standardlieferzeit des Herstellers 12 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 200V 5 A (Ta) Oberflächenmontage Chipumriss (4 Lötstreifen)

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter EPC2012C
Produktschulungsmodul(e) eGaN® FET Reliability
Vorgestelltes Produkt EPC Low Voltage eGaN® FETs
EPC9052/53/54 Development Boards
Wireless Power Solutions
Referenzdesign-Bibliothek EPC9052: 1A, 0 ~ 40V, 15 MHz, Class E Amplifier
PCN-Montage/Herkunft Mult Dev Site Add 28/Aug/2020
HTML-Datenblatt EPC2012C Datasheet
EDA- / CAD-Modelle EPC2012C by SnapEDA
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller EPC
Serie eGaN®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 5 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 100mOhm bei 3A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 1,3nC @ 5V
Vgs (Max.) +6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 140pF @ 100V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten Chipumriss (4 Lötstreifen)
Gehäuse / Hülle Einsatz
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
zur Verwendung mit

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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen 917-1084-1