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EPC2010C N-Kanal 200V 22 A (Ta) Oberflächenmontage Chipumriss (7 Lötstreifen)
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  • Digi-Reel®  : 917-1085-6-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 8 748 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

EPC2010C

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer 917-1085-1-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer EPC2010C
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Beschreibung GANFET TRANS 200V 22A BUMPED DIE
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Standardlieferzeit des Herstellers 12 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 200V 22 A (Ta) Oberflächenmontage Chipumriss (7 Lötstreifen)

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Dokumente & Medien
Datenblätter EPC2010C
Produktschulungsmodul(e) eGaN® FET Reliability
Videodatei Texas Instruments/Wurth/EPC GaN Solutions First Look Video
Vorgestelltes Produkt EPC Low Voltage eGaN® FETs
EPC9052/53/54 Development Boards
Referenzdesign-Bibliothek EPC9003C: 5A, 200V, Half Bridge
PCN-Montage/Herkunft Site Change 13/Mar/2017
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller EPC
Serie eGaN®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 22 A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 5V
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 25mOhm bei 12A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 3mA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 5,3nC @ 5V
Vgs (Max.) +6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 540pF @ 100V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten Chipumriss (7 Lötstreifen)
Gehäuse / Hülle Einsatz
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
zur Verwendung mit

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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
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