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1 5,60000 €5,60
10 5,02800 €50,28
100 4,12010 €412,01
500 3,50742 €1.753,71
1 000 2,95807 €2.958,07

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Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : 917-1085-2-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 2 500
  • Verfügbare Menge: 5 000 - Sofort
  • Stückpreis: €2,88124
  • Digi-Reel®  : 917-1085-6-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 6 628 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

EPC2010C

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer 917-1085-1-ND
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Hersteller

EPC

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Hersteller-Teilenummer EPC2010C
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Beschreibung GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
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Standardlieferzeit des Herstellers 12 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 200V 22 A (Ta) Oberflächenmontage Chipumriss (7 Lötstreifen)

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter EPC2010C
Produktschulungsmodul(e) eGaN® FET Reliability
RoHS-Informationen EPC RoHS3 Cert
EPC REACH211 Cert
Vorgestelltes Produkt EPC Low Voltage eGaN® FETs
EPC9052/53/54 Development Boards
Referenzdesign-Bibliothek EPC9003C: 5A, 200V, Half Bridge
PCN-Montage/Herkunft Assembly Site 25/Jun/2021
HTML-Datenblatt EPC2010C
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller EPC
Serie eGaN®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 22 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 25mOhm bei 12A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 3mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 5,3nC @ 5V
Vgs (Max.) +6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 540pF @ 100V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten Chipumriss (7 Lötstreifen)
Gehäuse / Hülle Einsatz
Basis der Teilenummer EPC2010
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
zur Verwendung mit

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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen 917-1085-1