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DMHC3025LSD-13 MOSFETs - Arrays 2 N- und 2 P-Kanal (H-Brücke) 30V 6 A, 4,2 A 1,5W Oberflächenmontage 8-SO
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Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : DMHC3025LSD-13DITR-ND
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  • Stückpreis: 0,23515 €
  • Digi-Reel®  : DMHC3025LSD-13DIDKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 11 310 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

DMHC3025LSD-13

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer DMHC3025LSD-13DICT-ND
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Hersteller

Diodes Incorporated

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Hersteller-Teilenummer DMHC3025LSD-13
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Beschreibung MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO
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Standardlieferzeit des Herstellers 26 Wochen
Detaillierte Beschreibung

MOSFETs - Arrays 2 N- und 2 P-Kanal (H-Brücke) 30V 6 A, 4,2 A 1,5W Oberflächenmontage 8-SO

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter DMHC3025LSD
RoHS-Informationen Diodes RoHS 3 Cert
Vorgestelltes Produkt DMHC3025LSD and DMHC4035LSD MOSFET H-Bridges
PCN-Design/Spezifikation Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013
HTML-Datenblatt DMHC3025LSD
EDA- / CAD-Modelle DMHC3025LSD-13 by SnapEDA
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller Diodes Incorporated
Serie -
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ 2 N- und 2 P-Kanal (H-Brücke)
FET-Merkmal Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 6 A, 4,2 A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 25mOhm bei 5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 11,7nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 590pF bei 15V
Leistung - Max. 1,5W
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SO
Basis der Teilenummer DMHC3025LSD
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen DMHC3025LSD-13DICT