FET- und MOSFET-Arrays

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	Technologie	Konfiguration	FET-Merkmal	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	Leistung - Max.	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäuse / Hülle	Gehäusetyp vom Lieferanten

SSM6N7002KFU,LF MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	325 570 Vorrätig	1 : € 0,13000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,03289 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	-	60V	300mA	1,5Ohm bei 100mA, 10V	2,1V bei 250µA	0,6nC bei 4,5V	40pF bei 10V	285mW	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
2N7002DW-7-F MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Diodes Incorporated	109 580 Vorrätig	1 : € 0,19000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,05161 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	-	60V	230mA	7,5Ohm bei 50mA, 5V	2V bei 250µA	-	50pF bei 25V	310mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
SSM6L56FE,LM MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	54 549 Vorrätig	1 : € 0,20000 Gurtabschnitt (CT) 4 000 : € 0,05152 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gatter, 1,5V	20V	800mA (Ta)	235mOhm bei 800mA, 4,5V, 390mOhm bei 800mA, 4,5V	1V bei 1mA	1nC bei 10V	55pF bei 10V, 100pF bei 10V	150mW (Ta)	150°C	-	-	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	ES6
2N7002PS,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	1 974 Vorrätig	1 : € 0,20000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,05073 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	60V	320mA	1,6Ohm bei 500mA, 10V	2,4V bei 250µA	0,8nC bei 4,5V	50pF bei 10V	420mW	150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q100	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
SSM6N37FU,LF MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	187 573 Vorrätig	1 : € 0,21000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,05492 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gatter, 1,5V	20V	250mA (Ta)	2,2Ohm bei 100mA, 4,5V	1V bei 1mA	-	12pF bei 10V	300mW	150°C	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
PMDXB600UNEZ MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN Nexperia USA Inc.	37 245 Vorrätig	1 : € 0,21000 Gurtabschnitt (CT) 5 000 : € 0,05155 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1 : € 0,25000 Gurtabschnitt (CT)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	20V	600mA	620mOhm bei 600mA, 4,5V	950mV bei 250µA	0,7nC bei 4,5V	21,3pF bei 10V	265mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-XFDFN mit freiliegendem Pad	DFN1010B-6
2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Infineon Technologies	4 848 Vorrätig	1 : € 0,22000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,05918 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	OptiMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	60V	300mA	3Ohm bei 500mA, 10V	2,5V bei 250µA	0,6nC bei 10V	20pF bei 25V	500mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
SSM6N44FE,LM MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	140 621 Vorrätig	1 : € 0,23000 Gurtabschnitt (CT) 4 000 : € 0,05783 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	30V	100mA	4Ohm bei 10mA, 4V	1,5V bei 100µA	-	8,5pF bei 3V	150mW	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	ES6
BSS138PS,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	317 762 Vorrätig	1 : € 0,24000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,06253 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	60V	320mA	1,6Ohm bei 300mA, 10V	1,5V bei 250µA	0,8nC bei 4,5V	50pF bei 10V	420mW	150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
DMG1016UDW-7 MOSFET N/P-CH 20V SOT363 Diodes Incorporated	48 939 Vorrätig 1 335 000 Fabrik	1 : € 0,25000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,06524 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gate	20V	1,07A, 845mA	450mOhm bei 600mA, 4,5V	1V bei 250µA	0,74nC bei 4,5V	60,67pF bei 10V	330mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
UM6K33NTN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	741 938 Vorrätig	1 : € 0,27000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,05694 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gatter, 1,2V	50V	200mA	2,2Ohm bei 200mA, 4,5V	1V bei 1mA	-	25pF bei 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
UM6K34NTCN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	241 267 Vorrätig	1 : € 0,27000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,07247 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gatter, 0,9V	50V	200mA	2,2Ohm bei 200mA, 4,5V	800mV bei 1mA	-	26pF bei 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
EM6K34T2CR MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6 Rohm Semiconductor	163 795 Vorrätig	1 : € 0,27000 Gurtabschnitt (CT) 8 000 : € 0,06396 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gatter, 0,9V	50V	200mA	2,2Ohm bei 200mA, 4,5V	800mV bei 1mA	-	26pF bei 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	EMT6
DMG6602SVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 Diodes Incorporated	98 244 Vorrätig 2 925 000 Fabrik	1 : € 0,27000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,07104 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gatter, 4,5V	30V	3,4 A, 2,8 A	60mOhm bei 3,1A, 10V	2,3V bei 250µA	13nC bei 10V	400pF bei 15V	840mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6	TSOT-26
DMG6601LVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26 Diodes Incorporated	5 653 Vorrätig 2 547 000 Fabrik	1 : € 0,27000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,07192 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gate	30V	3,8 A, 2,5 A	55mOhm bei 3,4A, 10V	1,5V bei 250µA	12,3nC bei 10V	422pF bei 15V	850mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6	TSOT-26
PMGD290XN,115 MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	68 880 Vorrätig	1 : € 0,29000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,07951 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	20V	860mA	350mOhm bei 200mA, 4,5V	1,5V bei 250µA	0,72nC bei 4,5V	34pF bei 20V	410mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
BSD840NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 Infineon Technologies	55 063 Vorrätig	1 : € 0,29000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,07860 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	OptiMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	20V	880mA	400mOhm bei 880mA, 2,5V	750mV bei 1,6µA	0,26nC bei 2,5V	78pF bei 10V	500mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
NTZD3154NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 onsemi	451 962 Vorrätig	1 : € 0,30000 Gurtabschnitt (CT) 4 000 : € 0,07941 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	-	20V	540mA	550mOhm bei 540mA, 4,5V	1V bei 250µA	2,5nC bei 4,5V	150pF bei 16V	250mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	SOT-563
2N7002DW MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 onsemi	89 163 Vorrätig	1 : € 0,30000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,08300 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	60V	115mA	7,5Ohm bei 50mA, 5V	2V bei 250µA	-	50pF bei 25V	200mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88 (SC-70-6)
NTJD4401NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88 onsemi	28 578 Vorrätig	1 : € 0,30000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,08280 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	20V	630mA	375mOhm bei 630mA, 4,5V	1,5V bei 250µA	3nC bei 4,5V	46pF bei 20V	270mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
SSM6L14FE(TE85L,F) MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	24 395 Vorrätig	1 : € 0,30000 Gurtabschnitt (CT) 4 000 : € 0,07845 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gatter, 1,5V	20V	800mA (Ta), 720mA (Ta)	240mOhm bei 500mA, 4,5V, 300mOhm bei 400mA, 4,5V	1V bei 1mA	2nC bei 4,5V, 1,76nC bei 4,5V	90pF bei 10V, 110pF bei 10V	150mW (Ta)	150°C	-	-	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	ES6
BSD235NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 Infineon Technologies	35 258 Vorrätig	1 : € 0,31000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,08494 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	OptiMOS™ 2	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	20V	950mA	350mOhm bei 950mA, 4,5V	1,2V bei 1,6µA	0,32nC bei 4,5V	63pF bei 10V	500mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
SSM6L09FUTE85LF MOSFET N/P-CH 30V 0.4A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	34 436 Vorrätig	1 : € 0,31000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,08385 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gate	30V	400mA, 200mA	700mOhm bei 200mA, 10V	1,8V bei 100µA	-	20pF bei 5V	300mW	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
PMDT290UNE,115 MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 Nexperia USA Inc.	75 874 Vorrätig	1 : € 0,32000 Gurtabschnitt (CT) 4 000 : € 0,08488 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	20V	800mA	380mOhm bei 500mA, 4,5V	950mV bei 250µA	0,68nC bei 4,5V	83pF bei 10V	500mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	SOT-666
NTZD3152PT1G MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563 onsemi	63 002 Vorrätig	1 : € 0,32000 Gurtabschnitt (CT) 4 000 : € 0,08392 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 P-Kanal (zweifach)	-	20V	430mA	900mOhm bei 430mA, 4,5V	1V bei 250µA	2,5nC bei 4,5V	175pF bei 16V	250mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	SOT-563

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Feldeffekttransistoren (FETs) sind elektronische Komponenten, bei denen die Steuerung des Stromflusses über ein elektrisches Feld erfolgt. Durch das Anlegen einer Spannung an die Gate-Klemme wird die Leitfähigkeit zwischen den Drain- und Source-Klemmen umgeschaltet. FETs werden auch als unipolare Transistoren bezeichnet, da sie nach dem Einzel-Träger-Prinzip arbeiten. Das bedeutet, dass FETs entweder Elektronen oder Löcher als Ladungsträger nutzen, nicht jedoch beides. Feldeffekttransistoren weisen im Allgemeinen eine sehr hohe Eingangsimpedanz bei niedrigen Frequenzen auf.

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