Transistoren - IGBTs - Einzeln

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Herst.-Teilenr.	Preis	Lagerbestand	Lieferant	Herst.	Mindestmenge	DK-Teilenr.	Serie	Gehäuse	Status der Komponente	IGBT-Typ	Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (max.)	Strom - Gepulst, Kollektor (Icm)	Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	Leistung - Max.	Schaltenergie	Eingangstyp	Gate-Ladung	Td (on/off) bei 25°C	Testbedingung	Umkehrerholungszeit (trr)	Betriebstemperatur	Montagetyp	Gehäuse / Hülle	Gehäusetyp vom Lieferanten

HGTD1N120BNS9A IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA	€ 1,49000	12.508 - Sofort	onsemi	onsemi	1	HGTD1N120BNS9ATR-ND HGTD1N120BNS9ACT-ND HGTD1N120BNS9ADKR-ND	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	NPT	1200 V	5.3 A	6 A	2,9V bei 15V, 1A	60 W	70µJ (Ein), 90µJ (Aus)	Standard	14 nC	15ns/67ns	960V, 1A, 82Ohm, 15V	-	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63	TO-252AA
FGH60N60UFDTU IGBT 600V 120A 298W TO247	€ 5,94000	727 - Sofort	onsemi	onsemi	1	FGH60N60UFDTU-ND	-	Stange	Aktiv	Feldblende	600 V	120 A	180 A	2,4V bei 15V, 60A	298 W	1,81mJ (Ein), 810µJ (Aus)	Standard	188 nC	23ns/130ns	400V, 60A, 5Ohm, 15V	47 ns	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247-3
IGW40N120H3FKSA1 IGBT 1200V 80A 483W TO247-3	€ 6,53000	286 - Sofort	Infineon Technologies	Infineon Technologies	1	IGW40N120H3FKSA1-ND	TrenchStop®	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	1200 V	80 A	160 A	2,4V bei 15V, 40A	483 W	3,16 mJ	Standard	185 nC	30ns/290ns	600V, 40A, 12Ohm, 15V	-	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	PG-TO247-3-1
IGW60T120FKSA1 IGBT TRENCH 1200V 100A TO247-3	€ 6,66000	1.430 - Sofort	Infineon Technologies	Infineon Technologies	1	IGW60T120FKSA1-ND	TrenchStop®	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	1200 V	100 A	150 A	2,4V bei 15V, 60A	375 W	9,5 mJ	Standard	280 nC	50ns/480ns	600V, 60A, 10Ohm, 15V	-	-40°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	PG-TO247-3-1
IXXH80N65B4 IGBT 650V 160A 625W TO247AD	€ 7,00000	0 - Sofort	IXYS	IXYS	1	IXXH80N65B4-ND	GenX4™, XPT™	Stange	Aktiv	PT	650 V	160 A	430 A	2V bei 15V, 80A	625 W	3,77mJ (Ein), 1,2mJ (Aus)	Standard	120 nC	38ns/120ns	400V, 80A, 3Ohm, 15V	-	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247 (IXXH)
APT50GS60BRDQ2G IGBT 600V 93A 415W TO247	€ 10,58000	4.128 - Sofort	Microchip Technology	Microchip Technology	1	APT50GS60BRDQ2G-ND	Thunderbolt IGBT®	Stange	Aktiv	NPT	600 V	93 A	195 A	3,15V bei 15V, 50A	415 W	755µJ (Aus)	Standard	235 nC	16ns/225ns	400V, 40A, 4,7Ohm, 15V	25 ns	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247 [B]
IXGT16N170A IGBT 1700V 16A 190W TO268	€ 11,18000	307 - Sofort	IXYS	IXYS	1	IXGT16N170A-ND	-	Stange	Aktiv	NPT	1700 V	16 A	40 A	5V bei 15V, 11A	190 W	900µJ (Aus)	Standard	65 nC	36ns/160ns	850V, 16A, 10Ohm, 15V	-	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-268-3, D³Pak (2 Anschlüsse+Fahne), TO-268AA	TO-268AA
IXXX200N65B4 IGBT 650V 370A 1150W PLUS247	€ 19,22000	1.033 - Sofort	IXYS	IXYS	1	IXXX200N65B4-ND	GenX4™, XPT™	Stange	Aktiv	PT	650 V	370 A	1000 A	1,7V bei 15V, 160A	1150 W	4,4mJ (Ein), 2,2mJ (Aus)	Standard	553 nC	62ns/245ns	400V, 100A, 1Ohm, 15V	-	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	PLUS247™-3
IXBH42N170 IGBT 1700V 80A 360W TO247	€ 22,54000	250 - Sofort	IXYS	IXYS	1	IXBH42N170-ND	BIMOSFET™	Lose im Beutel	Aktiv	-	1700 V	80 A	300 A	2,8V bei 15V, 42A	360 W	-	Standard	188 nC	-	-	1.32 µs	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247AD
IXBT12N300HV IGBT 3000V 30A 160W TO268	€ 31,23000	357 - Sofort 1.020 - Hersteller	IXYS	IXYS	1	IXBT12N300HV-ND	BIMOSFET™	Stange	Aktiv	-	3000 V	30 A	100 A	3,2V bei 15V, 12A	160 W	-	Standard	62 nC	64ns/180ns	1250V, 12A, 10Ohm, 15V	1.4 µs	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-268-3, D³Pak (2 Anschlüsse+Fahne), TO-268AA	TO-268
IXYH30N450HV IGBT 4500V 30A TO-247HV	€ 35,86000	348 - Sofort 120 - Hersteller	IXYS	IXYS	1	IXYH30N450HV-ND	XPT™	Stange	Aktiv	PT	4500 V	60 A	200 A	3,9V bei 15V, 30A	430 W	-	Standard	88 nC	-	960V, 30A, 10Ohm, 15V	-	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3 Variante	TO-247HV
IXBK75N170 IGBT 1700V 200A 1040W TO264	€ 50,40000	424 - Sofort 525 - Hersteller	IXYS	IXYS	1	IXBK75N170-ND	BIMOSFET™	Stange	Aktiv	-	1700 V	200 A	580 A	3,1V bei 15V, 75A	1040 W	-	Standard	350 nC	-	-	1.5 µs	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-264-3, TO-264AA	TO-264AA
IXYX40N450HV IGBT	€ 53,97000	268 - Sofort	IXYS	IXYS	1	IXYX40N450HV-ND	XPT™	Stange	Aktiv	-	4500 V	95 A	350 A	3,9V bei 15V, 40A	660 W	-	Standard	170 nC	36ns/110ns	960V, 40A, 2Ohm, 15V	-	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3 Variante	TO-247PLUS-HV
IXBK55N300 IGBT 3000V 130A 625W TO264	€ 83,03000	0 - Sofort	IXYS	IXYS	1	IXBK55N300-ND	BIMOSFET™	Stange	Aktiv	-	3000 V	130 A	600 A	3,2V bei 15V, 55A	625 W	-	Standard	335 nC	-	-	1.9 µs	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-264-3, TO-264AA	TO-264AA
IXGK75N250 IGBT 2500V 170A 780W TO264	€ 90,45000	0 - Sofort	IXYS	IXYS	1	IXGK75N250-ND	-	Stange	Aktiv	NPT	2500 V	170 A	530 A	3,6V bei 15V, 150A	780 W	-	Standard	410 nC	-	-	-	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-264-3, TO-264AA	TO-264 (IXGK)
IXBH20N360HV IGBT 3600V 70A TO-247HV	€ 104,22000	550 - Sofort 1.020 - Hersteller	IXYS	IXYS	1	IXBH20N360HV-ND	BIMOSFET™	Stange	Aktiv	-	3600 V	70 A	220 A	3,4V bei 15V, 20A	430 W	15,5mJ (Ein), 4,3mJ (Aus)	Standard	110 nC	18ns/238ns	1500V, 20A, 10Ohm, 15V	1.7 µs	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3 Variante	TO-247HV
STGF10NC60KD IGBT 600V 9A 25W TO220FP	€ 1,54000	8.428 - Sofort	STMicroelectronics	STMicroelectronics	1	497-5114-5-ND	PowerMESH™	Stange	Aktiv	-	600 V	9 A	30 A	2,5V bei 15V, 5A	25 W	55µJ (Ein), 85µJ (Aus)	Standard	19 nC	17ns/72ns	390V, 5A, 10Ohm, 15V	22 ns	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-220-3 voller Pack	TO-220FP
STGF3NC120HD IGBT 1200V 6A 25W TO220FP	€ 1,76000	3.665 - Sofort	STMicroelectronics	STMicroelectronics	1	497-4353-5-ND	PowerMESH™	Stange	Aktiv	-	1200 V	6 A	20 A	2,8V bei 15V, 3A	25 W	236µJ (Ein), 290µJ (Aus)	Standard	24 nC	15ns/118ns	800V, 3A, 10Ohm, 15V	51 ns	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-220-3 voller Pack	TO-220FP
STGP3NC120HD IGBT 1200V 14A 75W TO220	€ 1,76000	2.655 - Sofort	STMicroelectronics	STMicroelectronics	1	497-15806-5-ND	PowerMESH™	Stange	Aktiv	-	1200 V	14 A	20 A	2,8V bei 15V, 3A	75 W	236µJ (Ein), 290µJ (Aus)	Standard	24 nC	15ns/118ns	800V, 3A, 10Ohm, 15V	51 ns	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-220-3	TO-220
RGT30NS65DGC9 IGBT	€ 2,39000	2.935 - Sofort	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	1	RGT30NS65DGC9-ND	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	650 V	30 A	45 A	2,1V bei 15V, 15A	133 W	-	Standard	32 nC	18ns/64ns	400V, 15A, 10Ohm, 15V	55 ns	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-262-3, lange Anschlüsse, I²Pak, TO-262AA	TO-262
FGP3040G2-F085 IGBT 400V 41A TO220-3	€ 2,70000	644 - Sofort	onsemi	onsemi	1	FGP3040G2-F085OS-ND	Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®	Stange	Aktiv	-	400 V	41 A	-	1,25V bei 4V, 6A	150 W	-	Logik	21 nC	900ns/4,8µs	-	-	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-220-3	TO-220-3
ISL9V5036P3-F085 IGBT 390V 46A TO220-3	€ 3,14000	7.704 - Sofort	onsemi	onsemi	1	ISL9V5036P3-F085-ND	Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®	Stange	Aktiv	-	390 V	46 A	-	1,6V bei 4V, 10A	250 W	-	Logik	32 nC	-/10,8µs	300V, 1kOhm, 5V	-	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-220-3	TO-220-3
HGTG10N120BND IGBT NPT 1200V 35A TO247-3	€ 3,68000	3.130 - Sofort	onsemi	onsemi	1	HGTG10N120BND-ND	-	Stange	Nicht für Neukonstruktionen	NPT	1200 V	35 A	80 A	2,7V bei 15V, 10A	298 W	850µJ (Ein), 800µJ (Aus)	Standard	100 nC	23ns/165ns	960V, 10A, 10Ohm, 15V	70 ns	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247-3
STGW30NC120HD IGBT 1200V 60A 220W TO247	€ 4,17000	509 - Sofort	STMicroelectronics	STMicroelectronics	1	497-5314-5-ND	PowerMESH™	Stange	Aktiv	-	1200 V	60 A	-	2,75V bei 15V, 20A	220 W	1,66mJ (Ein), 4,44mJ (Aus)	Standard	110 nC	29ns/275ns	960V, 20A, 10Ohm, 15V	152 ns	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247-3
FGH40N60SFDTU IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3	€ 4,40000	198 - Sofort	onsemi	onsemi	1	FGH40N60SFDTU-ND	-	Stange	Aktiv	Feldblende	600 V	80 A	120 A	2,9V bei 15V, 40A	290 W	1,13mJ (Ein), 310µJ (Aus)	Standard	120 nC	25ns/115ns	400V, 40A, 10Ohm, 15V	45 ns	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247-3

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