Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

Resultate : 40.618
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedCatalyst Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDComponentsDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCFairchild SemiconductorFreescale SemiconductorGeneSiC Semiconductor
Aufheben
Serie
-*Alliance Plastics, BTSAlphaMOSAlphaSGT™aMOS5™aMOS™AutomotiveAutomotive, AEC-Q100, NexFET™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7A
Aufheben
Verpackung
-Band & Box (TB)BoxDigi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeStreifenTablettTasche
Aufheben
Status der Komponente
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsoletVorläufig
Aufheben
FET-Typ
-N-KanalP-Kanal
Aufheben
Technologie
-GaNFET (Galliumnitrid)GaNFET (Kaskoden-Galliumnitrid-FET)MOSFET (Metalloxid)SiC (Siliziumkarbid-Sperrschichttransistor)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (Siliziumkarbid)
Aufheben
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1.2 V5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V
Aufheben
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)14mA21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)45mA (Ta)
Aufheben
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
0V0V, 10V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,2V, 5V1,3V, 4,5V1,5V
Aufheben
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
0,4 mOhm bei 50A, 10V0,4mOhm bei 150A, 10V0,4mOhm bei 30A, 10V0,42mOhm bei 50A, 10V0,45mOhm bei 30A, 10V0,45mOhm bei 50A, 10V0,45mOhm bei 60A, 4,5V0,47mOhm bei 20A, 10V0,48 mOhm bei 50A, 10V0,52mOhm bei 20A, 10V0,52mOhm bei 30A, 10V0,53mOhm bei 20A, 10V0,55mOhm bei 25A, 10V
Aufheben
Vgs(th) (max.) bei Id
400mV bei 1mA (Min)400mV bei 250µA (Min)400mV bei 250µA450mV bei 100µA (Min)450mV bei 1mA (Min)450mV bei 250µA (Min)450mV bei 250µA450mV bei 2mA (Min)500mV bei 250µA (Min)500mV bei 250µA570mV bei 1mA600mV bei 1,2mA (Min)600mV bei 1mA (Min)
Aufheben
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.2 nC @ 8 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.281 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V
Aufheben
Vgs (Max.)
-20V-12V-10V-8V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V+3V, -16V+5V, -16V±5V
Aufheben
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1.21 pF @ 150 V1.33 pF @ 400 V1.37 pF @ 800 V1.86 pF @ 15 V2.05 pF @ 30 V2.3 pF @ 15 V2.8 pF @ 30 V3.4 pF @ 25 V3.4 pF @ 30 V3.5 pF @ 15 V3.5 pF @ 30 V
Aufheben
FET-Merkmal
-Mit VerarmungsschichtSchottky-Diode (Körper)Schottky-Diode (isoliert)StandardStrommessungSuperjunctionTemperaturmessdiode
Aufheben
Verlustleistung (max.)
1,9mW (Ta)100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)160mW170mW (Ta)
Aufheben
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)-65°C bis 175°C (TJ)-60°C bis 175°C (TJ)-55°C bis 110°C (TA)-55°C bis 125°C (TA)-55°C bis 125°C (TJ)-55°C bis 125°C-55°C bis 135°C (TJ)-55°C bis 150°C (TA)-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 150°C-55°C bis 155°C (TJ)-55°C bis 175°C (TA)
Aufheben
Montagetyp
-ChassisbefestigungDurchkontaktierungOberflächenmontageOberflächenmontage, benetzbare Flanke
Aufheben
Gehäusetyp vom Lieferanten
2-HWSON (5x4)2-PQFN (8x8)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-LDPAK3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR3-PMCP
Aufheben
Gehäuse / Hülle
2-PowerTSFN3-DFN mit freiliegendem Pad3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, flache Anschlüsse3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, Nicht standardmäßiges3-SMD, flache Anschlüsse3-SMD, flacher Anschluss3-SMD, ohne Anschlüsse3-UDFN
Aufheben
Lagerungsoptionen
Medien
Umweltschutzoptionen
MARKTPLATZPRODUKT
Resultate pro Seite
25
Seite 1/1625
Vergleichen
Herst.-Teilenr.
Preis
Lagerbestand
Lieferant
Herst.
Mindestmenge
DK-Teilenr.
Serie
Gehäuse
Status der Komponente
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
eGaN Series
EPC2036
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
€ 0,81000
305.673 - Sofort
EPCEPC
1
917-1100-2-ND
917-1100-1-ND
917-1100-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V1,7 A (Ta)5V65mOhm bei 1A, 5V2,5V bei 600µA0.91 nC @ 5 V+6V, -4V90 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2040
GANFET NCH 15V 3.4A DIE
€ 1,12000
71.548 - Sofort
EPCEPC
1
917-1153-2-ND
917-1153-1-ND
917-1153-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)15 V3,4 A (Ta)5V30mOhm bei 1,5A, 5V2,5V bei 1mA0.93 nC @ 5 V-105 pF @ 6 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
€ 1,12000
281.377 - Sofort
EPCEPC
1
917-1138-2-ND
917-1138-1-ND
917-1138-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V500mA (Ta)5V3,3Ohm bei 50mA, 5V2,5V bei 20µA0.044 nC @ 5 V+6V, -4V8.4 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2039
GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
€ 1,57000
39.497 - Sofort
EPCEPC
1
917-1147-2-ND
917-1147-1-ND
917-1147-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)80 V6,8 A (Ta)5V25mOhm bei 6A, 5V2,5V bei 2mA2.4 nC @ 5 V+6V, -4V210 pF @ 40 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2052
EPC2052
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
€ 1,71000
69.725 - Sofort
EPCEPC
1
917-1202-2-ND
917-1202-1-ND
917-1202-6-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V8,2 A (Ta)5V13,5mOhm bei 11A, 5V2,5V bei 3mA4.5 nC @ 5 V+6V, -4V575 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC8010
GANFET N-CH 100V 4A DIE
€ 1,96000
27.950 - Sofort
EPCEPC
1
917-1086-2-ND
917-1086-1-ND
917-1086-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V4 A (Ta)5V160mOhm bei 500mA, 5V2,5V bei 250µA0.48 nC @ 5 V+6V, -4V55 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
€ 2,06000
64.789 - Sofort
EPCEPC
1
917-1081-2-ND
917-1081-1-ND
917-1081-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V6 A (Ta)5V30mOhm bei 6A, 5V2,5V bei 1,2mA2.2 nC @ 5 V+6V, -4V220 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageChipumriss (5 Lötstreifen)Einsatz
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
€ 2,41000
38.124 - Sofort
EPCEPC
1
917-1223-2-ND
917-1223-1-ND
917-1223-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V29 A (Ta)5V6mOhm bei 16A, 5V2,5V bei 4mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V851 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
€ 2,41000
42.297 - Sofort
EPCEPC
1
917-1186-2-ND
917-1186-1-ND
917-1186-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V16 A (Ta)5V7mOhm bei 16A, 5V2,5V bei 5mA6.5 nC @ 5 V+6V, -4V685 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2055
EPC2055
GANFET N-CH 40V 29A DIE
€ 2,56000
17.664 - Sofort
EPCEPC
1
917-EPC2055TR-ND
917-EPC2055CT-ND
917-EPC2055DKR-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)40 V29 A (Ta)5V3,6mOhm bei 15A, 5V2,5V bei 7mA8.5 nC @ 5 V+6V, -4V1111 pF @ 20 VStandard--40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
€ 2,66000
22.285 - Sofort
EPCEPC
1
917-1084-2-ND
917-1084-1-ND
917-1084-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V5 A (Ta)5V100mOhm bei 3A, 5V2,5V bei 1mA1.3 nC @ 5 V+6V, -4V140 pF @ 100 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageChipumriss (4 Lötstreifen)Einsatz
EPC2212
EPC2212
GANFET N-CH 100V 18A DIE
€ 2,88000
193.724 - Sofort
EPCEPC
1
917-1211-2-ND
917-1211-1-ND
917-1211-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V18 A (Ta)5V13,5mOhm bei 11A, 5V2,5V bei 3mA4 nC @ 5 V+6V, -4V407 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC8002
GANFET N-CH 65V 2A DIE
€ 2,86000
26.947 - Sofort
EPCEPC
1
917-1118-2-ND
917-1118-1-ND
917-1118-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)65 V2 A (Ta)5V530mOhm bei 500mA, 5V2,5V bei 250µA-+6V, -4V21 pF @ 32.5 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC22xx
EPC2207
TRANS GAN 200V DIE .022OHM
€ 3,09000
15.684 - Sofort
EPCEPC
1
917-EPC2207TR-ND
917-EPC2207CT-ND
917-EPC2207DKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V14 A (Ta)5V22mOhm bei 14A, 5V2,5V bei 2mA5.9 nC @ 5 V+6V, -4V600 pF @ 100 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2019
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
€ 3,53000
760 - Sofort
EPCEPC
1
917-1087-2-ND
917-1087-1-ND
917-1087-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V8,5 A (Ta)5V42mOhm @ 7A, 5V2,5V bei 1,5mA2.9 nC @ 5 V+6V, -4V288 pF @ 100 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2218
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
€ 4,35000
41.497 - Sofort
EPCEPC
1
917-EPC2218TR-ND
917-EPC2218CT-ND
917-EPC2218DKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V60 A (Ta)5V3,2mOhm bei 25A, 5V2,5V bei 7mA16.3 nC @ 5 V+6V, -4V2703 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2001C
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
€ 4,51000
95.390 - Sofort
EPCEPC
1
917-1079-2-ND
917-1079-1-ND
917-1079-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V36 A (Ta)5V7mOhm bei 25A, 5V2,5V bei 5mA9 nC @ 5 V+6V, -4V900 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageChipumriss (11 Lötstreifen)Einsatz
EPC2053
EPC2053
GANFET N-CH 100V 48A DIE
€ 4,35000
30.727 - Sofort
EPCEPC
1
917-1204-2-ND
917-1204-1-ND
917-1204-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V48 A (Ta)5V3,8mOhm bei 25A, 5V2,5V bei 9mA14.8 nC @ 5 V+6V, -4V1895 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2015C
GANFET N-CH 40V 53A DIE
€ 4,66000
22.176 - Sofort
EPCEPC
1
917-1083-2-ND
917-1083-1-ND
917-1083-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)40 V53 A (Ta)5V4mOhm bei 33A, 5V2,5V bei 9mA8.7 nC @ 5 V+6V, -4V1180 pF @ 20 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC22xx
EPC2215
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
€ 5,89000
20.179 - Sofort
EPCEPC
1
917-1218-2-ND
917-1218-1-ND
917-1218-6-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V32 A (Ta)5V8mOhm bei 20A, 5V2,5V bei 6mA17.7 nC @ 5 V+6V, -4V1790 pF @ 100 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2010C
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
€ 6,31000
12.719 - Sofort
EPCEPC
1
917-1085-2-ND
917-1085-1-ND
917-1085-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V22 A (Ta)5V25mOhm bei 12A, 5V2,5V bei 3mA5.3 nC @ 5 V+6V, -4V540 pF @ 100 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageChipumriss (7 Lötstreifen)Einsatz
EPC2206
EPC2206
GANFET N-CH 80V 90A DIE
€ 6,17000
109.982 - Sofort
EPCEPC
1
917-1212-2-ND
917-1212-1-ND
917-1212-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)80 V90 A (Ta)5V2,2mOhm bei 29A, 5V2,5V bei 13mA19 nC @ 5 V+6V, -4V1940 pF @ 40 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
SCT2xxxNYTB
SCT2H12NYTB
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
€ 5,58000
800 - Sofort
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
SCT2H12NYTBTR-ND
SCT2H12NYTBCT-ND
SCT2H12NYTBDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalSiCFET (Siliziumkarbid)1700 V4 A (Tc)18V1,5Ohm bei 1,1A, 18V4V bei 410µA14 nC @ 18 V+22V, -6V184 pF @ 800 V-44W (Tc)175°C (TJ)OberflächenmontageTO-268TO-268-3, D³Pak (2 Anschlüsse+Fahne), TO-268AA
eGaN Series
EPC2031
GANFET NCH 60V 31A DIE
€ 6,35000
18.956 - Sofort
EPCEPC
1
917-1151-2-ND
917-1151-1-ND
917-1151-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)60 V31 A (Ta)-2,6mOhm bei 30A, 5V2,5V bei 15mA17 nC @ 5 V-1800 pF @ 300 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2029
GANFET N-CH 80V 48A DIE
€ 6,45000
17.594 - Sofort
EPCEPC
1
917-1107-2-ND
917-1107-1-ND
917-1107-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)80 V48 A (Ta)5V3,2mOhm bei 30A, 5V2,5V bei 12mA13 nC @ 5 V+6V, -4V1410 pF @ 40 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
Resultate pro Seite
25
Seite 1/1625