Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Resultate : 5.296
Hersteller
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDComponentsDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEPC Space, LLCFairchild SemiconductorGeneral Electric
Aufheben
Serie
-*AlphaMOSAutomotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, HEXFET®Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®Automotive, AEC-Q101, STripFET™Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, STripFET™ IIAutomotive, AEC-Q101, STripFET™ III
Aufheben
Verpackung
-BoxDigi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeStreifenTablett
Aufheben
Status der Komponente
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsolet
Aufheben
FET-Typ
2 N- und 2 P-Kanal (H-Brücke)2 N- und 2 P-Kanal abgestimmtes Paar2 N- und 2 P-Kanal2 N-Kanal (Halbbrücke)2 N-Kanal (Phasenabschnitt)2 N-Kanal (kaskodiert)2 N-Kanal (zweifach) abgestimmtes Paar2 N-Kanal (zweifach)2 N-Kanal (zweifach), gemeinsamer Source-Pin2 N-Kanäle2 N-kanal (dual), schottky2 N-kanal (zweif. buck-gleichspannungswandler)2 P-Kanal (zweifach) abgestimmtes Paar
Aufheben
FET-Merkmal
-GaNFET (Galliumnitrid)Logikpegel-GateLogikpegel-Gatter, 0,9VLogikpegel-Gatter, 1,2VLogikpegel-Gatter, 1,5VLogikpegel-Gatter, 1,8VLogikpegel-Gatter, 10V-BetriebLogikpegel-Gatter, 2,5VLogikpegel-Gatter, 4,5VLogikpegel-Gatter, 4VLogikpegel-Gatter, 5VMit Verarmungsschicht
Aufheben
Drain-Source-Spannung (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V15V16V20V20V, 12V20V, 8V22V24V
Aufheben
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
12mA, 3mA30mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)50mA80mA100mA (Ta)100mA100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)
Aufheben
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
0,8mOhm bei 1200A, 10V0,95mOhm bei 30A, 10V0,95mOhm bei 8A, 4,5V1mOhm bei 38A, 10V1,25mOhm bei 35A, 10V1,3mOhm bei 100A, 10V1,5mOhm bei 33A, 10V1,6mOhm bei 10A, 4,5V1,6mOhm bei 40A, 10V1,66mOhm bei 80A, 10V1,73mOhm bei 760A, 15V1,8mOhm bei 30A, 10V, 5mOhm bei 17,5A, 10V1,8mOhm bei 5A, 4,5V
Aufheben
Vgs(th) (max.) bei Id
10mV bei 10µA10mV bei 1µA10mV bei 20µA20mV bei 10µA20mV bei 1µA20mV bei 20µA180mV bei 1µA220mV bei 1µA360mV bei 1µA380mV bei 1µA400mV bei 250µA (Min)420mV bei 1µA450mV bei 100µA (Min)
Aufheben
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0,4pC bei 4,5V, 7,3nC bei 4,5V0,45 pC bei 4,5V0,16nC bei 5V, 0,044nC bei 5V0,22nC bei 5V, 0,044nC bei 5V0,26nC bei 2,5V0,3nC bei 4,5V0,304nC bei 4,5V0,31nC bei 4,5V0,32nC bei 4,5V0,34nC bei 4,5V0,35nC bei 4,5V0,35nC bei 5V350pC bei 4,5V
Aufheben
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2,5pF bei 5V3pF bei 5V5pF bei 3V6pF bei 3V6,2pF bei 10V6,6pF bei 10V7pF bei 10V7pF bei 3V7,1pF bei 10V7,4pF bei 10V7,5pF bei 10V8,5pF bei 3V9pF bei 15V
Aufheben
Leistung - Max.
10mW (Tc)10mW20mW (Tc)20mW50mW120mW125mW (Ta)125mW140mW150mW (Ta)150mW180mW200mW (Ta)
Aufheben
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 125°C-55°C bis 150°C (TA)-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 150°C-55°C bis 155°C (TJ)-55°C bis 175°C (TA)-55°C bis 175°C (TJ)-55°C bis 175°C-50°C bis 150°C (TJ)-40°C bis 125°C (Tc)-40°C bis 150°C (TJ)-40°C bis 175°C (TJ)
Aufheben
Montagetyp
-ChassisbefestigungDurchkontaktierungOberflächenmontageOberflächenmontage, benetzbare Flanke
Aufheben
Gehäuse / Hülle
4-SMD, ohne Anschlüsse4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-VDFN4-VFDFN mit freiliegendem Pad4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA4-XFBGA, WLCSP4-XFLGA4-XFLGA, CSP
Aufheben
Gehäusetyp vom Lieferanten
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-BGA (1x1)4-Chip-LGA (1,59 x 1,59)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)4-EFCP (1,01x1,01)4-EFLIP-LGA (1,11x1,11)4-EFLIP-LGA (1,4x1,4)4-EFLIP-LGA (1,62x1,62)4-FlipChip4-Picostar (1,31x1,31)4-QFN (2x2)
Aufheben
Lagerungsoptionen
Medien
Umweltschutzoptionen
MARKTPLATZPRODUKT
Resultate pro Seite
25
Seite 1/212
Vergleichen
Herst.-Teilenr.
Preis
Lagerbestand
Lieferant
Herst.
Mindestmenge
DK-Teilenr.
Serie
Gehäuse
Status der Komponente
FET-Typ
FET-Merkmal
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
Leistung - Max.
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
eGaN Series
EPC2106
GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
€ 1,75000
20.816 - Sofort
EPCEPC
1
917-1110-2-ND
917-1110-1-ND
917-1110-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (Halbbrücke)GaNFET (Galliumnitrid)100V1,7A70mOhm bei 2A, 5V2,5V bei 600µA0,73nC bei 5V75pF bei 50V--40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2110
GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
€ 2,28000
15.405 - Sofort
EPCEPC
1
917-1152-2-ND
917-1152-1-ND
917-1152-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach), gemeinsamer Source-PinGaNFET (Galliumnitrid)120V3,4A60mOhm bei 4A, 5V2,5V bei 700µA0,8nC bei 5V80pF bei 60V--40°C bis 150°C (TJ)-EinsatzEinsatz
BSM250D17P2E004
BSM250D17P2E004
HALF BRIDGE MODULE CONSISTING OF
€ 946,80000
0 - Sofort
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
BSM250D17P2E004-ND
-
Box
Aktiv2 N-Kanal (Halbbrücke)Siliziumkarbid (SiC)1700V (1,7kV)250 A (Tc)-4V bei 66mA-30000pF bei 10V1800W (Tc)-40°C bis 150°C (TJ)ChassisbefestigungModulModul
BSM300D12P2E001
BSM300D12P2E001
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
€ 683,59000
30 - Sofort
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
BSM300D12P2E001-ND
-
Tablett
Aktiv2 N-Kanal (Halbbrücke)Siliziumkarbid (SiC)1200V (1,2kV)300 A (Tc)-4V bei 68mA-35000pF bei 10V1875W-40°C bis 150°C (TJ)ChassisbefestigungModulModul
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
€ 0,38000
6.000 - Sofort
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
UM6K34NTCNTR-ND
UM6K34NTCNCT-ND
UM6K34NTCNDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gatter, 0,9V50V200mA2,2Ohm bei 200mA, 4,5V800mV bei 1mA-26pF bei 10V120mW150°C (TJ)Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-363UMT6
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SSM6N37FU,LF
MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
€ 0,38000
56.086 - Sofort
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
SSM6N37FULFTR-ND
SSM6N37FULFCT-ND
SSM6N37FULFDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gatter, 1,5V20V250mA (Ta)2,2Ohm bei 100mA, 4,5V1V bei 1mA-12pF bei 10V300mW150°COberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
SOT-563
SSM6L14FE(TE85L,F)
X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE
€ 0,43000
66.830 - Sofort
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
SSM6L14FE(TE85LF)TR-ND
SSM6L14FE(TE85LF)CT-ND
SSM6L14FE(TE85LF)DKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN- und P-KanalLogikpegel-Gatter, 1,5V20V800mA (Ta), 720mA (Ta)240mOhm bei 500mA, 4,5V, 300mOhm bei 400mA, 4,5V1V bei 1mA2nC bei 4,5V, 1,76nC bei 4,5V90pF bei 10V, 110pF bei 10V150mW (Ta)150°COberflächenmontageSOT-563, SOT-666ES6
8-SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
€ 0,38000
290 - Sofort
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMP3085LSD-13DITR-ND
DMP3085LSD-13DICT-ND
DMP3085LSD-13DIDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 P-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate30V3,9A70mOhm bei 5,3A, 10V3V bei 250µA11nC bei 10V563pF bei 25V1,1W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)8-SO
SOT-363 PKG
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
€ 0,41000
495.161 - Sofort
Infineon TechnologiesInfineon Technologies
1
BSD840NH6327XTSA1TR-ND
BSD840NH6327XTSA1CT-ND
BSD840NH6327XTSA1DKR-ND
OptiMOS™
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate20V880mA400mOhm bei 880mA, 2,5V750mV bei 1,6µA0,26nC bei 2,5V78pF bei 10V500mW-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage6-VSSOP, SC-88, SOT-363PG-SOT363-6
6-UDFN
SSM6N58NU,LF
MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
€ 0,46000
76.021 - Sofort
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
SSM6N58NULFTR-ND
SSM6N58NULFCT-ND
SSM6N58NULFDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gatter, 1,8V30V4A84mOhm bei 2A, 4,5V1V bei 1mA1,8nC bei 4,5V129pF bei 15V1W150°C (TJ)Oberflächenmontage6-WDFN mit freiliegendem Pad6-UDFN (2x2)
SOT-963
DMC31D5UDJ-7
MOSFET N/P-CH 30V SOT963
€ 0,44000
99.194 - Sofort
380.000 - Hersteller
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMC31D5UDJ-7DITR-ND
DMC31D5UDJ-7DICT-ND
DMC31D5UDJ-7DIDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN- und P-KanalLogikpegel-Gate30V220mA, 200mA1,5Ohm bei 100mA, 4,5V1V bei 250µA0,38nC bei 4,5V22,6pF bei 15V350mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-963SOT-963
U-DFN2020-6
DMN1029UFDB-7
MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
€ 0,48000
97.398 - Sofort
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMN1029UFDB-7DITR-ND
DMN1029UFDB-7DICT-ND
DMN1029UFDB-7DIDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Standard12V5,6A29mOhm bei 5A, 4,5V1V bei 250µA19,6nC bei 8V914pF bei 6V1,4W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage6-UDFN mit freiliegendem PadU-DFN2020-6 (Typ B)
UF6
SSM6L40TU,LF
X34 PB-F UF6 S-MOS (LF) TRANSIST
€ 0,49000
1.588 - Sofort
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
SSM6L40TULFTR-ND
SSM6L40TULFCT-ND
SSM6L40TULFDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN- und P-KanalLogikpegel-Gatter, 4V30V1,6A (Ta), 1,4A (Ta)122mOhm bei 1A, 10V, 226mOhm bei 1A, 10V2,6V bei 1mA, 2V bei 1mA5,1nC bei 10V, 2,9nC bei 10V180pF bei 15V, 120pF bei 15V500mW (Ta)150°COberflächenmontage6-SMD, flache AnschlüsseUF6
SOT 26
DMP2240UDM-7
MOSFET 2P-CH 20V 2A SOT-26
€ 0,44000
12.588 - Sofort
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMP2240UDMDITR-ND
DMP2240UDMDICT-ND
DMP2240UDMDIDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 P-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate20V2A150mOhm bei 2A, 4,5V1V bei 250µA-320pF bei 16V600mW-65°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-6SOT-26
U-DFN2020-6
DMP2160UFDB-7
MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
€ 0,49000
175.790 - Sofort
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMP2160UFDB-7DITR-ND
DMP2160UFDB-7DICT-ND
DMP2160UFDB-7DIDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 P-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate20V3,8 A70mOhm bei 2,8A, 4,5V900mV bei 250µA6,5nC bei 4,5V536pF bei 10V1,4W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage6-UDFN mit freiliegendem PadU-DFN2020-6 (Typ B)
SOT 26
DMG6968UDM-7
MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26
€ 0,49000
83.923 - Sofort
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMG6968UDMDITR-ND
DMG6968UDMDICT-ND
DMG6968UDMDIDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal (zweifach), gemeinsamer DrainLogikpegel-Gate20V6,5A24mOhm bei 6,5A, 4,5V900mV bei 250µA8,8nC bei 4,5V143pF bei 10V850mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-6SOT-26
SOT 26
DMG9926UDM-7
MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26
€ 0,54000
51.814 - Sofort
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMG9926UDMDITR-ND
DMG9926UDMDICT-ND
DMG9926UDMDIDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal (zweifach), gemeinsamer DrainLogikpegel-Gate20V4,2A28mOhm bei 8,2A, 4,5V900mV bei 250µA8,3nC bei 4,5V856pF bei 10V980mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-6SOT-26
8-SOIC
MCQ7328-TP
P-CHANNELMOSFETSOP-8
€ 0,56000
25.508 - Sofort
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
1
MCQ7328-TPMSTR-ND
MCQ7328-TPMSCT-ND
MCQ7328-TPMSDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 P-Kanal (zweifach)Standard30V8A21mOhm bei 8A, 10V2,5V bei 250µA78nC bei 10V2,675nF bei 25V1,4W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)8-SOP
SOT-563
CMLDM7484 TR PBFREE
MOSFET N/P-CH 30V 0.45A SOT-563
€ 0,64000
12.955 - Sofort
Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp
1
1514-CMLDM7484TRPBFREETR-ND
1514-CMLDM7484TRPBFREECT-ND
1514-CMLDM7484TRPBFREEDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN- und P-Kanal komplementärStandard30V450mA460mOhm bei 200mA, 4,5V1V bei 250µA0,79nC bei 4,5V45pF bei 25V150mW-65°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-563, SOT-666SOT-563
TUMT6_TUMT6 Pkg
US6M2TR
MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
€ 0,68000
6.000 - Sofort
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
US6M2TR-ND
US6M2CT-ND
US6M2DKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN- und P-KanalStandard30V, 20V1,5A, 1A240mOhm bei 1,5A, 4,5V1,5V bei 1mA2,2nC bei 4,5V80pF bei 10V1W150°C (TJ)Oberflächenmontage6-SMD, flache AnschlüsseTUMT6
8-TSSOP 8-MSOP
IRF7503TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
€ 0,75000
3.908 - Sofort
Infineon TechnologiesInfineon Technologies
1
IRF7503TRPBFTR-ND
IRF7503TRPBFCT-ND
IRF7503TRPBFDKR-ND
HEXFET®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate30V2,4A135mOhm bei 1,7A, 10V1V bei 250µA12nC bei 10V210pF bei 25V1,25W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", 3,00mm Breite)Micro8™
8-SO
DMP3056LSDQ-13
MOSFETDUAL P-CHAN 30V SO-8
€ 0,93000
10.150 - Sofort
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMP3056LSDQ-13DITR-ND
DMP3056LSDQ-13DICT-ND
DMP3056LSDQ-13DIDKR-ND
Automotive, AEC-Q101
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 P-Kanal (zweifach)Standard30V6,9 A (Ta)45mOhm bei 6A, 10V2,1V bei 250µA13,7nC bei 4,5V722pF bei 25V2,5W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)8-SO
8-TSSOP 8-MSOP
IRF7507TRPBF
MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8
€ 0,82000
48.001 - Sofort
Infineon TechnologiesInfineon Technologies
1
IRF7507TRPBFTR-ND
IRF7507TRPBFCT-ND
IRF7507TRPBFDKR-ND
HEXFET®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN- und P-KanalLogikpegel-Gate20V2,4 A, 1,7 A140mOhm bei 1,7A, 4,5V700mV bei 250µA8nC bei 4,5V260pF bei 15V1,25W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", 3,00mm Breite)Micro8™
8-SO
DMN4034SSD-13
MOSFET 2N-CH 40V 4.8A 8SO
€ 0,89000
10.316 - Sofort
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMN4034SSD-13TR-ND
DMN4034SSD-13CT-ND
DMN4034SSD-13DKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate40V4,8A34mOhm bei 6A, 10V3V bei 250µA18nC bei 10V453pF bei 20V1,8W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)8-SO
8-TSSOP 8-MSOP
IRF7509TRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
€ 0,91000
73.413 - Sofort
Infineon TechnologiesInfineon Technologies
1
IRF7509TRPBFTR-ND
IRF7509TRPBFCT-ND
IRF7509TRPBFDKR-ND
HEXFET®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN- und P-KanalLogikpegel-Gate30V2,7 A, 2 A110mOhm bei 1,7A, 10V1V bei 250µA12nC bei 10V210pF bei 25V1,25W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", 3,00mm Breite)Micro8™
Resultate pro Seite
25
Seite 1/212