FET- und MOSFET-Arrays

Resultate : 5 664
Hersteller
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedAnalog Power Inc.BruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLC
Serie
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
Verpackung
BoxDigi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeTablett
Produktstatus
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsolet
Technologie
-GaNFET (Galliumnitrid)MOSFET (Metalloxid)SiCFET (Siliziumkarbid)Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N- und 2 P-Kanal (Vollbrücke)2 N- und 2 P-Kanal abgestimmtes Paar2 N- und 2 P-Kanal2 N-Kanal (Dual), P-Kanal2 N-Kanal (Halbbrücke)2 N-Kanal (Phasenabschnitt)2 N-Kanal (kaskodiert)2 N-Kanal (zweifach) abgestimmtes Paar2 N-Kanal (zweifach)2 N-Kanal (zweifach), gemeinsamer Source-Pin2 N-Kanal, gemeinsamer Drain-Anschluss2 N-Kanäle
FET-Merkmal
-Logikpegel-GateLogikpegel-Gatter, 0,9VLogikpegel-Gatter, 1,2VLogikpegel-Gatter, 1,5VLogikpegel-Gatter, 1,8VLogikpegel-Gatter, 10V-BetriebLogikpegel-Gatter, 2,5VLogikpegel-Gatter, 4,5VLogikpegel-Gatter, 4VLogikpegel-Gatter, 5VMit VerarmungsschichtSiliziumkarbid (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA (Ta)100mA100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)115mA (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
0,46mOhm bei 160A, 12V0,762mOhm bei 160A, 12V0,765mOhm bei 160A, 12V, 0,580mOhm bei 160A, 12V0,765mOhm bei 160A, 12V, 0,710mOhm bei 160A, 12V0,8mOhm bei 1200A, 10V0,88mOhm bei 160A, 14V, 0,71mOhm bei 160A, 14V0,88mOhm bei 50A, 10V0,95mOhm bei 30A, 10V0,95mOhm bei 8A, 4,5V0,99mOhm bei 80A, 10V, 1,35mOhm bei 80A, 10V1,039mOhm bei 160A, 12V, 762µOhm bei 160A, 12V1,2mOhm bei 800A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
10mV bei 10µA10mV bei 1µA10mV bei 20µA20mV bei 10µA20mV bei 1µA20mV bei 20µA180mV bei 1µA200mV bei 2,8A, 200mV bei 1,9A220mV bei 1µA360mV bei 1µA380mV bei 1µA400mV bei 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0,4pC bei 4,5V, 7,3nC bei 4,5V0,45 pC bei 4,5V0,16nC bei 5V, 0,044nC bei 5V0,22nC bei 5V, 0,044nC bei 5V0,26nC bei 2,5V0,28nC bei 4,5V0,28nC bei 4,5V, 0,3nC bei 4,5V0,3nC bei 4,5V0,3nC bei 4,5V, 0,28nC bei 4,5V0,304nC bei 4,5V0,31nC bei 4,5V0,32nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2,5pF bei 5V3pF bei 5V5pF bei 3V6pF bei 3V6,2pF bei 10V6,6pF bei 10V7pF bei 10V7pF bei 3V7,1pF bei 10V7,4pF bei 10V7,5pF bei 10V8,5pF bei 3V
Leistung - Max.
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW (Ta)125mW140mW150mW (Ta)150mW180mW200mW (Ta)
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 125°C-55°C bis 150°C (TA)-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 150°C (Tc)-55°C bis 150°C-55°C bis 155°C (TJ)-55°C bis 175°C (TA)-55°C bis 175°C (TJ)-55°C bis 175°C-50°C bis 150°C (TJ)-40°C bis 125°C (TA)
Klasse
-AutomobiltechnikMilitärtechnik
Qualifizierung
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Montagetyp
-ChassisbefestigungDurchkontaktierungOberflächenmontageOberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäuse / Hülle
4-SMD, ohne Anschlüsse4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN mit freiliegendem Pad4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA
Gehäusetyp vom Lieferanten
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1,74x1,74)4-Chip-LGA (1,59 x 1,59)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
MARKTPLATZPRODUKT
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Verfügbare Menge
Preis
Serie
Verpackung
Produktstatus
Technologie
Konfiguration
FET-Merkmal
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
Leistung - Max.
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
794 869
Vorrätig
1 : € 0,24000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,05355
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gatter, 1,2V
50V
200mA
2,2Ohm bei 200mA, 4,5V
1V bei 1mA
-
25pF bei 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
357 966
Vorrätig
1 : € 0,24000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,05474
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gatter, 0,9V
50V
200mA
2,2Ohm bei 200mA, 4,5V
800mV bei 1mA
-
26pF bei 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
164 600
Vorrätig
1 : € 0,32000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,05764
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
-
60V
230mA
7,5Ohm bei 50mA, 5V
2V bei 250µA
-
50pF bei 25V
310mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
71 167
Vorrätig
1 : € 0,33000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,08880
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
20V
610mA (Ta)
396mOhm bei 500mA, 4,5V
1V bei 250µA
2nC bei 8V
43pF bei 10V
220mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
SC-89 (SOT-563F)
350 243
Vorrätig
1 : € 0,34000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,06037
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gatter, 1,5V
20V
250mA (Ta)
2,2Ohm bei 100mA, 4,5V
1V bei 1mA
-
12pF bei 10V
300mW
150°C
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
98 452
Vorrätig
1 : € 0,34000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,09028
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
-
30V
250mA
1,5Ohm bei 10mA, 4V
1,5V bei 100µA
1,3nC bei 5V
33pF bei 5V
272mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
80 560
Vorrätig
1 : € 0,34000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,05622
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
60V
295mA
1,6Ohm bei 500mA, 10V
2,5V bei 250µA
0,9nC bei 4,5V
26pF bei 20V
250mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363 PKG
BSD235NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Infineon Technologies
20 647
Vorrätig
1 : € 0,34000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,09191
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
20V
950mA
350mOhm bei 950mA, 4,5V
1,2V bei 1,6µA
0,32nC bei 4,5V
63pF bei 10V
500mW
-55°C bis 150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
18 476
Vorrätig
1 : € 0,34000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,06042
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
60V
320mA
1,6Ohm bei 500mA, 10V
2,4V bei 250µA
0,8nC bei 4,5V
50pF bei 10V
420mW
150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q100
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
8 SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
250 843
Vorrätig
305 000
Fabrik
1 : € 0,35000
Gurtabschnitt (CT)
2 500 : € 0,09324
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 P-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
30V
3,9A
70mOhm bei 5,3A, 10V
3V bei 250µA
11nC bei 10V
563pF bei 25V
1,1W
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
8-SO
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
46 439
Vorrätig
1 : € 0,36000
Gurtabschnitt (CT)
8 000 : € 0,07613
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gatter, 0,9V
50V
200mA
2,2Ohm bei 200mA, 4,5V
800mV bei 1mA
-
26pF bei 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
EMT6
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
52 923
Vorrätig
645 000
Fabrik
1 : € 0,37000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,08007
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N- und P-Kanal
Logikpegel-Gate
30V
3,8 A, 2,5 A
55mOhm bei 3,4A, 10V
1,5V bei 250µA
12,3nC bei 10V
422pF bei 15V
850mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
TSOT-26
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
onsemi
29 999
Vorrätig
1 : € 0,37000
Gurtabschnitt (CT)
4 000 : € 0,09886
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N- und P-Kanal
Logikpegel-Gate
20V
540mA, 430mA
550mOhm bei 540mA, 4,5V
1V bei 250µA
2,5nC bei 4,5V
150pF bei 16V
250mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 563
DMG1029SV-7
MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Diodes Incorporated
435 312
Vorrätig
1 752 000
Fabrik
1 : € 0,37000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,10108
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N- und P-Kanal
Logikpegel-Gate
60V
500mA, 360mA
1,7Ohm bei 500mA, 10V
2,5V bei 250µA
0,3nC bei 4,5V
30pF bei 25V, 25pF bei 25V
450mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
167 927
Vorrätig
2 811 000
Fabrik
1 : € 0,37000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,06734
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N- und P-Kanal
Logikpegel-Gate
20V
1,03A, 700 mA
480mOhm bei 200mA, 5V
900mV bei 250µA
0,5nC bei 4,5V
37,1pF bei 10V
450mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
SOT-563
77 817
Vorrätig
1 : € 0,37000
Gurtabschnitt (CT)
4 000 : € 0,06747
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
30V
100mA
4Ohm bei 10mA, 4V
1,5V bei 100µA
-
8,5pF bei 3V
150mW
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
ES6
SOT 563
2N7002VC-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Diodes Incorporated
64 973
Vorrätig
1 : € 0,37000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,10108
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
-
60V
280mA
7,5Ohm bei 50mA, 5V
2,5V bei 250µA
-
50pF bei 25V
150mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
SOT-563
MCM2301-TP
MCM3400A-TP
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN
Micro Commercial Co
24 382
Vorrätig
1 : € 0,37000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,10093
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanäle
-
30V
5A
32mOhm bei 5,8A, 10V
1,5V bei 250µA
-
1155pF bei 15V
1,4W
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-VDFN mit freiliegendem Pad
DFN2020-6L
U-DFN2020-6
DMN3032LFDB-7
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
16 736
Vorrätig
1 : € 0,37000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,12749
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
-
30V
6,2A
30mOhm bei 5,8A, 10V
2V bei 250µA
10,6nC bei 10V
500pF bei 15V
1W
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-UDFN mit freiliegendem Pad
U-DFN2020-6 (Typ B)
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
103 322
Vorrätig
1 : € 0,38000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,06917
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
60V
300mA
3Ohm bei 500mA, 10V
2,5V bei 250µA
0,6nC bei 10V
20pF bei 25V
500mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT363
BSS84AKS,115
MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
56 725
Vorrätig
1 : € 0,38000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,06853
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 P-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
50V
160mA
7,5Ohm bei 100mA, 10V
2,1V bei 250µA
0,35nC bei 5V
36pF bei 25V
445mW
-55°C bis 150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
SOT 363
SI1539CDL-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
Vishay Siliconix
1 194
Vorrätig
1 : € 0,38000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,10360
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N- und P-Kanal
Logikpegel-Gate
30V
700mA, 500mA
388mOhm bei 600mA, 10V
2,5V bei 250µA
1,5nC bei 10V
28pF bei 15V
340mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-70-6
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
348 026
Vorrätig
1 : € 0,39000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,07028
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
60V
320mA
1,6Ohm bei 300mA, 10V
1,5V bei 250µA
0,8nC bei 4,5V
50pF bei 10V
420mW
150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
SOT363
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
257 227
Vorrätig
1 : € 0,39000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,07146
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
60V
300mA (Ta)
1,6Ohm bei 500mA, 10V
2,1V bei 250µA
0,6nC bei 4,5V
50pF bei 10V
295mW
150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
8-SOIC
AO4629
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
170 198
Vorrätig
1 : € 0,39000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,13391
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N- und P-Kanal, gemeinsamer Drain-Anschluss
Logikpegel-Gate
30V
6 A, 5,5 A
30mOhm bei 6A, 10V
2,4V bei 250µA
6,3nC bei 10V
310pF bei 15V
2W
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
8-SOIC
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FET- und MOSFET-Arrays


Feldeffekttransistoren (FETs) sind elektronische Komponenten, bei denen die Steuerung des Stromflusses über ein elektrisches Feld erfolgt. Durch das Anlegen einer Spannung an die Gate-Klemme wird die Leitfähigkeit zwischen den Drain- und Source-Klemmen umgeschaltet. FETs werden auch als unipolare Transistoren bezeichnet, da sie nach dem Einzel-Träger-Prinzip arbeiten. Das bedeutet, dass FETs entweder Elektronen oder Löcher als Ladungsträger nutzen, nicht jedoch beides. Feldeffekttransistoren weisen im Allgemeinen eine sehr hohe Eingangsimpedanz bei niedrigen Frequenzen auf.