JFETs

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	FET-Typ	Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS)	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Drain (Idss) bei Vds (Vgs=0)	Strom, Drain (Id) - max.	Spannung - Abschaltung (VGS aus) bei Id	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäuse / Hülle	Gehäusetyp vom Lieferanten
JFE2140DR JFET 2N-CH 40V 50MA 8SOIC Texas Instruments	2 868 Vorrätig	1 : € 4,01000 Gurtabschnitt (CT) 2 500 : € 2,21215 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	2 N-Kanal (zweifach)	40 V	40 V	-	50 mA	1.5 V @ 0.1 µA	13pF bei 5V	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)	8-SOIC
JFE150DCKR JFET N-CH 40V 50MA SC70-5 Texas Instruments	4 035 Vorrätig	1 : € 2,13000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 1,10144 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	40 V	40 V	24 mA @ 10 V	50 mA	1.5 V @ 0.1 µA	24pF bei 5V	-40°C bis 125°C (TA)	-	-	Oberflächenmontage	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	SC-70-5
JFE150DCKT JFET N-CH 40V 50MA SC70-5 Texas Instruments	134 Vorrätig	1 : € 2,50000 Gurtabschnitt (CT) 250 : € 1,45856 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	40 V	40 V	24 mA @ 10 V	50 mA	1.5 V @ 0.1 µA	24pF bei 5V	-40°C bis 125°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	SC-70-5
JFE150DBVT PROTOTYPE Texas Instruments	210 Vorrätig	1 : € 3,53000 Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	40 V	40 V	24 mA @ 10 V	50 mA	1.5 V @ 100 nA	24pF bei 5V	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5
JFE2140DSGR DUAL, ULTRA-LOW NOISE, LOW-GATE- Texas Instruments	2 174 Vorrätig	1 : € 5,22000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 2,03617 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	40 V	40 V	-	-	1.5 V @ 100 nA	17pF bei 0V	-40°C bis 125°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-WFDFN mit freiliegendem Pad	8-WSON (2x2)
JFE150DBVR PROTOTYPE Texas Instruments	2 974 Vorrätig	1 : € 1,80000 Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	40 V	40 V	24 mA @ 10 V	50 mA	1.5 V @ 100 nA	24pF bei 5V	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SC-74A, SOT-753	SOT-23-5

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Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (Junction-gate Field-Effect Transistors, JFETs) sind Komponenten, die als elektronisch gesteuerte Schalter, Verstärker oder spannungsgesteuerte Widerstände eingesetzt werden. Eine Potenzialdifferenz mit korrekter Polarität, die an die Gate- und Source-Anschlüsse angelegt wird, erhöht den Widerstand gegen den Stromfluss. Das bedeutet, dass weniger Strom in dem Kanal zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen fließt. JFETs benötigen keinen Ruhestrom, weil bei ihnen eine Ladung durch einen halbleitenden Kanal zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen fließt.