Name: SQS407ENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQS407ENW-T1_GE3TR-ND
Price: 1.716 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SQS407ENW-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQS407ENW-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQS407ENW-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQS407ENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQS407ENW-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 16 A (Tc) 62,5W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8W
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 77 nC @ 10 V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs (Max.) ±20V
Serie TrenchFET®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4572 pF @ 20 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 62,5W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ P-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 16 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8W
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8W
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 10,8mOhm bei 12A, 10V	Basis-Produktnummer SQS407
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA