Name: SIDR680DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIDR680DP-T1-GE3TR-ND
Price: 4.416 EUR
Availability: InStock

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SIDR680DP-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIDR680DP-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIDR680DP-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIDR680DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIDR680DP-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	55 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 32,8 A (Ta), 100 A (Tc) 6,25W (Ta), 125W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8DC
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,4V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 105 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5150 pF @ 40 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 6,25W (Ta), 125W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8DC
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 32,8 A (Ta), 100 A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 7,5V, 10V	Basis-Produktnummer SIDR680
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,9mOhm bei 20A, 10V