Name: VS-40MT120PHAPBF
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-VS-40MT120PHAPBF-ND
Price: 63.3 EUR
Availability: OutOfStock

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VS-40MT120PHAPBF
DigiKey-Teilenr.	112-VS-40MT120PHAPBF-ND
Hersteller	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller-Teilenummer	VS-40MT120PHAPBF
Beschreibung	IGBT MOD 1200V 75A 305W 12-MTP
Standardlieferzeit des Herstellers	25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Modul Trench Feldstopp Halbbrücke 1200 V 75 A 305 W Durchkontaktierung 12-MTP
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Hersteller	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Konfiguration	Halbbrücke
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	75 A
Leistung - Max.	305 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,65V bei 15V, 40A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	50 µA
Eingangskapazität (Cies) bei Vce	3.2 nF @ 25 V
Eingang	Standard
NTC-Thermistor	Nein
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	12-poliges MTP-Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	12-MTP

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