Name: STB33N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STB33N60DM6TR-ND
Price: 6.948 EUR
Availability: InStock

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STB33N60DM6
DigiKey-Teilenr.	497-STB33N60DM6TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 497-STB33N60DM6CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 497-STB33N60DM6DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STB33N60DM6
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 25 A (Tc) 190W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STB33N60DM6 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,75V bei 250µA
Herst. STMicroelectronics	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 35 nC @ 10 V
Serie MDmesh™ M6	Vgs (Max.) ±25V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1500 pF @ 100 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 190W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 25 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer STB33
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 128mOhm bei 12,5A, 10V