Name: NP33N06YDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: NP33N06YDG-E1-AYTR-ND
Price: 2.544 EUR
Availability: InStock

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NP33N06YDG-E1-AY
DigiKey-Teilenr.	NP33N06YDG-E1-AYTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) NP33N06YDG-E1-AYCT-ND - Gurtabschnitt (CT) NP33N06YDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	NP33N06YDG-E1-AY
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 33 A (Tc) 1W (Ta), 97W (Tc) Oberflächenmontage 8-HSON
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NP33N06YDG-E1-AY Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 78 nC @ 10 V
Herst. Renesas Electronics Corporation	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3900 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 1W (Ta), 97W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 33 A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 5V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-HSON
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 14mOhm bei 16,5A, 10V	Gehäuse / Hülle 8-SMD, Flat-Lead Freiliegendes Lötauge
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA	Basis-Produktnummer NP33N06

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Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

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NP33N06YDG-E1-AY