Name: N3T080MP120D
Brand: NoMIS Power
SKU: 5140-N3T080MP120D-ND
Price: 9.276 EUR
Availability: InStock

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N3T080MP120D
DigiKey-Teilenr.	5140-N3T080MP120D-ND
Hersteller	NoMIS Power
Hersteller-Teilenummer	N3T080MP120D
Beschreibung	1200 V, 80 m SiC MOSFET, TO-247-
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 38A 188W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3L
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	NoMIS Power
Serie	1200
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	38A
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	100mOhm bei 15A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 15mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	53 nC @ 20 V
Vgs (Max.)	+20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	896 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	188W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-3L
Gehäuse / Hülle	TO-247-3

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
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25	€ 7,29840	€ 182,46
100	€ 6,86640	€ 686,64
500	€ 6,00272	€ 3.001,36

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